Datasheet下载- 型号： MTM232270LBF
- 制造商： Panasonic Corporation
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MTM232270LBF由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM232270LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM232270LBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MTM232270LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTM232270LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 20V 2A SMINI3-G1-BMOSFET Nch MOS FET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | Panasonic Electronic Components - Semiconductor ProductsPanasonic |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Panasonic MTM232270LBF- |
| 数据手册 | http://industrial.panasonic.com/www-cgi/jvcr13pz.cgi?E+SC+4+AJE7004+MTM23227+8+WW |
| 产品型号 | MTM232270LBFMTM232270LBF |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 110 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 110 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 1A，4V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | S迷你型3-G1-B |
| 其它名称 | MTM232270LBFCT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Panasonic |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SMini-3-G1-B |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
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