【晶体管 - FET，MOSFET - 单_MTM231232LBF】封装/厂家_MTM231232LBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MTM231232LBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MTM231232LBF
制造商： Panasonic Corporation
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTM231232LBF由Panasonic Corporation设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTM231232LBF价格参考。Panasonic CorporationMTM231232LBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 3A（Ta） 500mW（Ta） S迷你型3-G1-B。您可以下载MTM231232LBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTM231232LBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTM231232LBF 是由 Panasonic Electronic Components 生产的一款单通道 MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）。这类晶体管广泛应用于各种电子设备中，尤其适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的应用场景。以下是 MTM231232LBF 的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   MTM231232LBF 常用于开关电源（SMPS）和直流-直流转换器（DC-DC Converter）中。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在开关过程中能够减少能量损耗，提高电源转换效率。此外，MOSFET 的快速开关速度也有助于降低电磁干扰（EMI），确保电源系统的稳定性和可靠性。

 2. 电机驱动
   在电机控制应用中，MTM231232LBF 可以作为功率级元件，用于驱动无刷直流电机（BLDC）、步进电机等。MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻使其能够在大电流环境下保持较低的温升，从而延长电机驱动电路的使用寿命。

 3. 电池管理系统（BMS）
   该型号的 MOSFET 也常用于电池管理系统中，特别是在锂电池保护电路中。它可以用于控制电池的充放电路径，防止过充、过放和短路等异常情况的发生。MOSFET 的低导通电阻有助于减少电池内部的发热，提升电池的安全性和使用寿命。

 4. 工业自动化
   在工业自动化领域，MTM231232LBF 可用于各种传感器接口、执行器驱动和信号隔离电路中。其高耐压特性和快速响应能力使其能够适应复杂的工业环境，确保系统的稳定运行。

 5. 消费电子产品
   在消费电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等中，MTM231232LBF 可用于电源管理模块、充电电路和音频放大器等部分。其小型化封装和高效性能使其非常适合便携式设备的应用需求。

总之，MTM231232LBF 凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、工业自动化以及消费电子产品等多个领域，为各类电子系统提供高效、稳定的解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平栅极，2.5V 驱动
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MTM231232LBF
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.3V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1000pF @ 10V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	-
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	55 毫欧 @ 1A，4V
供应商器件封装	*
其它名称	MTM231232LBFDKR
功率-最大值	500mW
包装	*
安装类型	*
封装/外壳	*
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3A （Ta）