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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N20ET5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N20ET5G价格参考。ON SemiconductorMTD6N20ET5G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 6A(Tc) 1.75W(Ta),50W(Tc) DPAK。您可以下载MTD6N20ET5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD6N20ET5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MTD6N20ET5G是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),具有多种应用场景,尤其适用于需要高效、低损耗和高可靠性的电路设计。以下是该型号的主要应用场景: 1. 电源管理: - MTD6N20ET5G广泛应用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。 - 在电池充电器中,该MOSFET可以用于控制充电电流,确保充电过程的安全性和稳定性。 2. 电机驱动: - 该MOSFET适用于小型电机驱动电路,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机。它能够快速响应并精确控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,MTD6N20ET5G可用于驱动电机,提供高效且可靠的性能。 3. 负载开关: - 作为负载开关,MTD6N20ET5G可以在电路中实现对不同负载的快速切换。例如,在便携式电子设备中,它可以用于控制USB端口的电源通断,保护设备免受过流或短路的影响。 - 在汽车电子系统中,该MOSFET可以用于控制车灯、风扇等负载的供电,确保系统的稳定运行。 4. 信号传输与隔离: - MTD6N20ET5G可用于信号传输路径中的开关控制,特别是在需要高速切换的应用中,如数据通信接口、传感器信号处理等。 - 在某些情况下,它还可以用于实现电气隔离,防止不同电路之间的干扰。 5. 逆变器和UPS系统: - 在逆变器和不间断电源(UPS)系统中,MTD6N20ET5G可以用于功率级电路,帮助实现高效的能量转换和稳定的输出电压。 - 它能够在高频工作条件下保持良好的性能,减少热量产生,延长设备的使用寿命。 总之,MTD6N20ET5G凭借其优异的电气特性,适用于多种电力电子应用,能够满足不同行业对高效、可靠和紧凑设计的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 200V 6A DPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MTD6N20ET5G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 21nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 700 毫欧 @ 3A,10V |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
功率-最大值 | 1.75W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 200V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |