【晶体管 - FET，MOSFET - 单_MTD6N15T4GV】封装/厂家_MTD6N15T4GV中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > MTD6N15T4GV

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MTD6N15T4GV
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N15T4GV由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N15T4GV价格参考。ON SemiconductorMTD6N15T4GV封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 150V 6A（Tc） 1.25W（Ta），20W（Tc） DPAK。您可以下载MTD6N15T4GV参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MTD6N15T4GV 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MTD6N15T4GV 是 ON Semiconductor 生产的一款单通道 N 沟道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种电力电子应用场景。以下是该型号的一些典型应用场景：

 1. 电源管理
   MTD6N15T4GV 常用于各种电源管理系统中，如开关模式电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电压调节模块（VRM）等。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以减少功率损耗，提高效率。此外，该器件的快速开关性能有助于实现高效的电源转换。

 2. 电机驱动
   在电机控制应用中，MTD6N15T4GV 可以用作电机驱动电路中的功率开关。例如，在无刷直流电机（BLDC）或步进电机驱动中，MOSFET 的高速开关能力可以精确控制电机的速度和方向，同时保持较低的功耗。

 3. 电池管理系统
   该器件可用于电池管理系统的充放电控制电路中。通过精确控制电流的流动，确保电池的安全充电和放电过程。MTD6N15T4GV 的低导通电阻有助于减少发热，延长电池寿命。

 4. 负载开关
   在消费电子设备中，MTD6N15T4GV 可作为负载开关使用，用于控制不同负载的供电状态。例如，在智能手机、平板电脑或其他便携式设备中，MOSFET 可以根据需要快速切断或接通电源，以节省电量并保护电路。

 5. 工业自动化
   在工业自动化领域，MTD6N15T4GV 可用于控制各种传感器、执行器和其他外围设备的电源供应。其高可靠性和耐用性使其能够在恶劣的工业环境中稳定工作。

 6. 通信设备
   在通信基站、路由器等设备中，MTD6N15T4GV 可用于电源管理和信号调理电路中，确保设备在高效运行的同时保持低功耗。

总之，MTD6N15T4GV 凭借其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子等多个领域，特别是在需要高效、低损耗的开关操作场景中表现出色。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 150V 5A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MTD6N15T4GV
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4.5V @ 1mA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1200pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	30nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	300 毫欧 @ 3A，10V
供应商器件封装	DPAK-3
功率-最大值	1.25W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	150V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	6A （Tc）