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MTD6N15T4G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTD6N15T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTD6N15T4G价格参考。ON SemiconductorMTD6N15T4G封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 150V 6A(Tc) 1.25W(Ta),20W(Tc) DPAK。您可以下载MTD6N15T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTD6N15T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MTD6N15T4G 是由 ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)。它属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类。该型号具有以下主要特点和应用场景: 主要参数: - 最大漏源电压 (VDS): 150V - 最大栅源电压 (VGS): ±20V - 连续漏极电流 (ID): 6A(@25°C) - 导通电阻 (RDS(on)): 0.07Ω(@VGS=10V) - 封装类型: TO-220 应用场景: 1. 电源管理: MTD6N15T4G 适用于各种电源管理应用,如开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、电池充电器等。其低导通电阻有助于减少传导损耗,提高效率。 2. 电机控制: 在电机驱动和控制系统中,该 MOSFET 可用于实现高效、可靠的开关操作。例如,在无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路中,它可以作为功率级的一部分,用于斩波调速或方向控制。 3. 逆变器和变频器: 该器件适合用于逆变器和变频器中的功率开关,特别是在太阳能逆变器、UPS 系统和工业变频器中。其高耐压和大电流能力使其能够承受严苛的工作条件。 4. 负载切换: 在需要频繁切换负载的应用中,如智能插座、LED 驱动器和家电控制电路中,MTD6N15T4G 可以快速、可靠地切断或接通负载,确保系统的安全性和稳定性。 5. 保护电路: 该 MOSFET 还可用于过流保护、短路保护等电路中,通过检测异常电流并迅速切断电路,防止损坏其他敏感元件。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器、车灯控制等应用中,MTD6N15T4G 的高可靠性和耐高温特性使其成为理想选择。 总之,MTD6N15T4G 凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于电力电子、工业控制、消费电子和汽车电子等多个领域,是高性能功率开关的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 150V 6A DPAKMOSFET NFET DPAK 150V 6A 300mOhm |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
Id-连续漏极电流 | 6 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MTD6N15T4G- |
数据手册 | |
产品型号 | MTD6N15T4G |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 20 W |
Pd-功率耗散 | 20 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 150 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 150 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 180 ns |
下降时间 | 100 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DPAK-3 |
其它名称 | MTD6N15T4GOSDKR |
典型关闭延迟时间 | 200 ns |
功率-最大值 | 1.25W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 2.5 S |
漏源极电压(Vdss) | 150V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
系列 | MTD6N15 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |