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型号： MT8KTF51264HZ-1G6E1
制造商： Micron Technology Inc
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MT8KTF51264HZ-1G6E1由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT8KTF51264HZ-1G6E1价格参考。Micron Technology IncMT8KTF51264HZ-1G6E1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载MT8KTF51264HZ-1G6E1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT8KTF51264HZ-1G6E1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.（美光科技）的存储器模块型号 MT8KTF51264HZ-1G6E1 属于高性能存储解决方案，主要应用于需要高带宽、低延迟和高可靠性的场景。以下是其主要应用场景：

 1. 服务器与数据中心
   - 该型号适用于企业级服务器和数据中心，支持多核处理器和虚拟化技术，为云计算、大数据分析和人工智能训练提供高效的内存性能。
   - 其高容量和高速度特性能够满足数据中心对海量数据处理的需求。

 2. 高性能计算 (HPC)
   - 在科学计算、气象模拟、基因测序等领域，该存储器模块能够加速复杂计算任务，提升整体系统性能。
   - 支持大规模并行计算，确保数据传输的高效性和稳定性。

 3. 人工智能与机器学习
   - 用于深度学习模型训练和推理，特别是在需要快速访问大量数据的场景中，如图像识别、自然语言处理等。
   - 高速内存有助于减少训练时间，提高算法效率。

 4. 网络设备
   - 应用于路由器、交换机和其他网络基础设施设备，提供快速的数据包处理能力。
   - 支持高吞吐量和低延迟的网络通信需求。

 5. 工作站与高端PC
   - 在图形设计、视频编辑、3D建模等需要大量内存的工作站环境中，该模块可显著提升系统性能。
   - 适合对速度和稳定性要求较高的专业用户。

 6. 边缘计算
   - 在物联网（IoT）和边缘计算领域，该存储器模块可用于实时数据分析和处理，支持智能城市、工业自动化等应用。

 技术特点
- 类型：DDR4 ECC Registered DIMM  
- 容量：通常为大容量配置，满足高密度存储需求。  
- 速度：高达2666 MT/s或更高，确保快速数据传输。  
- 可靠性：支持纠错码（ECC）功能，降低数据错误率，适合关键任务应用。

综上所述，MT8KTF51264HZ-1G6E1 主要应用于对性能和可靠性要求极高的领域，是现代计算和存储系统的重要组成部分。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	存储卡，模块
描述	MODULE DDR3 4GB SODIMM
产品分类	存储器 - 模块
品牌	Micron Technology Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MT8KTF51264HZ-1G6E1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
存储器类型	DDR3L SDRAM
存储容量	4GB
封装/外壳	204-SODIMM
标准包装	100
速度	1600MT/s