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产品简介:
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MT47H512M4THN-3:E TR是由Micron Technology Inc.(美光科技)生产的一款存储器产品,属于DDR3L SDRAM(低电压双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)。以下是其主要应用场景: 1. 嵌入式系统 - 该型号的存储器适用于各种嵌入式设备,例如工业控制、医疗设备、网络通信设备等。其低电压设计(1.35V)有助于降低功耗,适合对能效要求较高的嵌入式环境。 2. 移动设备 - DDR3L的低电压特性使其非常适合用于移动设备,如平板电脑、笔记本电脑和智能手机。它能够提供高效的内存性能,同时减少电池消耗。 3. 服务器与数据中心 - 虽然DDR3L逐渐被更先进的存储技术(如DDR4和DDR5)取代,但在某些老旧或低成本的服务器系统中,仍可能使用此类存储器以满足基本的数据处理需求。 4. 汽车电子 - MT47H512M4THN-3:E TR符合汽车级标准,能够在极端温度和振动条件下稳定运行,因此广泛应用于车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)以及仪表盘显示模块。 5. 消费类电子产品 - 此类存储器也常见于家用电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏主机等,为多媒体处理和图形渲染提供支持。 6. 网络设备 - 在路由器、交换机和其他网络基础设施中,这种存储器可以用于缓存数据包和加速数据传输。 总结 MT47H512M4THN-3:E TR的主要特点是低功耗、高可靠性和广泛的适用性。它的典型应用场景包括嵌入式系统、移动设备、汽车电子、消费类电子产品以及网络设备等领域。尽管DDR3L技术已不是最新一代,但凭借其成熟的技术和经济性,仍然在许多领域中发挥着重要作用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 集成电路 (IC) |
描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA |
产品分类 | 存储器 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT47H512M4THN-3:E TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | 63-FBGA(9x11.5) |
包装 | 带卷 (TR) |
存储器类型 | DDR2 SDRAM |
存储容量 | 2G(512M x 4) |
封装/外壳 | 63-FBGA |
工作温度 | 0°C ~ 85°C |
接口 | 并联 |
标准包装 | 2,000 |
格式-存储器 | RAM |
电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
速度 | 3ns |