Datasheet下载- 型号： MT47H512M4THN-3:E TR
- 制造商： Micron Technology Inc
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H512M4THN-3:E TR由Micron Technology Inc设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H512M4THN-3:E TR价格参考。Micron Technology IncMT47H512M4THN-3:E TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT47H512M4THN-3:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT47H512M4THN-3:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Micron Technology Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MT47H512M4THN-3:E TR |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 63-FBGA（9x11.5） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | DDR2 SDRAM |
| 存储容量 | 2G（512M x 4） |
| 封装/外壳 | 63-FBGA |
| 工作温度 | 0°C ~ 85°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 2,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 速度 | 3ns |
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