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  • 型号: MT47H512M4THN-3:E TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT47H512M4THN-3:E TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT47H512M4THN-3:E TR价格参考。Micron Technology IncMT47H512M4THN-3:E TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT47H512M4THN-3:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT47H512M4THN-3:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT47H512M4THN-3:E TR是由Micron Technology Inc.(美光科技)生产的一款存储器产品,属于DDR3L SDRAM(低电压双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)。以下是其主要应用场景:

 1. 嵌入式系统
   - 该型号的存储器适用于各种嵌入式设备,例如工业控制、医疗设备、网络通信设备等。其低电压设计(1.35V)有助于降低功耗,适合对能效要求较高的嵌入式环境。

 2. 移动设备
   - DDR3L的低电压特性使其非常适合用于移动设备,如平板电脑、笔记本电脑和智能手机。它能够提供高效的内存性能,同时减少电池消耗。

 3. 服务器与数据中心
   - 虽然DDR3L逐渐被更先进的存储技术(如DDR4和DDR5)取代,但在某些老旧或低成本的服务器系统中,仍可能使用此类存储器以满足基本的数据处理需求。

 4. 汽车电子
   - MT47H512M4THN-3:E TR符合汽车级标准,能够在极端温度和振动条件下稳定运行,因此广泛应用于车载信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)以及仪表盘显示模块。

 5. 消费类电子产品
   - 此类存储器也常见于家用电子产品,如智能电视、机顶盒、游戏主机等,为多媒体处理和图形渲染提供支持。

 6. 网络设备
   - 在路由器、交换机和其他网络基础设施中,这种存储器可以用于缓存数据包和加速数据传输。

 总结
MT47H512M4THN-3:E TR的主要特点是低功耗、高可靠性和广泛的适用性。它的典型应用场景包括嵌入式系统、移动设备、汽车电子、消费类电子产品以及网络设备等领域。尽管DDR3L技术已不是最新一代,但凭借其成熟的技术和经济性,仍然在许多领域中发挥着重要作用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR2 SDRAM 2GBIT 3NS 63FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT47H512M4THN-3:E TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

63-FBGA(9x11.5)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

DDR2 SDRAM

存储容量

2G(512M x 4)

封装/外壳

63-FBGA

工作温度

0°C ~ 85°C

接口

并联

标准包装

2,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.7 V ~ 1.9 V

速度

3ns

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