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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MT3S16U(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT3S16U(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.MT3S16U(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT3S16U(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT3S16U(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM射频双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz |
产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1922700&lineid=83&subcategoryid=1936988&familyid=900135 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Toshiba MT3S16U(TE85L,F)- |
mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S16U |
产品型号 | MT3S16U(TE85L,F)MT3S16U(TE85L,F) |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 80 @ 5mA, 1V |
产品种类 | 射频双极晶体管 |
供应商器件封装 | USM |
其它名称 | MT3S16U(TE85LF)DKR |
功率-最大值 | 100mW |
功率耗散 | 100 mW |
包装 | Digi-Reel® |
发射极-基极电压VEBO | 2 V |
商标 | Toshiba |
噪声系数(dB,不同f时的典型值) | 2.4dB @ 1GHz |
增益 | 4.5dBi |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SC-70-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
技术 | Silicon |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | Bipolar |
最大工作温度 | + 125 C |
最大工作频率 | 4 GHz (Typ) |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 5V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 60mA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
类型 | UHF Band Oscillator and Amplifier |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
集电极连续电流 | 60 mA |
频率 | 4 GHz (Typ) |
频率-跃迁 | 4GHz |