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Datasheet下载- 型号： MT3S16U(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MT3S16U(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT3S16U(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.MT3S16U(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MT3S16U(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MT3S16U(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）生产的型号为MT3S16U(TE85L,F)的双极射频晶体管（BJT），主要应用于高频和射频领域，适用于以下典型场景： 1. 无线通信设备 - 该晶体管可用于无线通信系统中的功率放大器（PA），支持中低功率的射频信号放大。 - 应用于对讲机、无线麦克风、远程控制设备等需要稳定射频信号传输的场景。 2. 雷达与导航系统 - 在小型雷达或导航系统中，该晶体管可作为射频信号的驱动级或中间级放大器，提供高增益和低失真性能。 - 特别适合需要高效能和小尺寸设计的应用。 3. 射频测试与测量设备 - 用于信号发生器、频谱分析仪等测试设备中，作为射频信号的放大或驱动元件。 - 提供稳定的输出功率和频率响应，确保测试结果的准确性。 4. 工业与医疗设备 - 在工业射频加热设备或医疗射频治疗仪器中，该晶体管可用于信号放大，以实现精确的能量控制。 - 其高可靠性和稳定性满足苛刻的工作环境要求。 5. 业余无线电及DIY项目 - 广泛应用于业余无线电爱好者制作的短波电台、调频收发机等项目中。 - 由于其良好的线性度和高频特性，能够满足爱好者对射频性能的需求。 性能特点 - 高频工作能力：支持较高的射频频率范围，适用于多种无线通信频段。 - 高增益：在射频信号放大方面表现出色，能够有效提升信号强度。 - 低噪声：保证信号质量，减少失真和干扰。 - 可靠性强：适合长时间运行的工业和消费类应用。 总结来说，MT3S16U(TE85L,F)晶体管凭借其优异的射频性能，广泛应用于无线通信、测试测量、工业控制以及医疗设备等领域，是一款高性能的射频双极晶体管。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM射频双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz |
| 产品分类 | RF 晶体管 (BJT)分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1922700&lineid=83&subcategoryid=1936988&familyid=900135 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Toshiba MT3S16U(TE85L,F)- |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文档才能发货到中国。 |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S16U |
| 产品型号 | MT3S16U(TE85L,F)MT3S16U(TE85L,F) |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA， 1V |
| 产品种类 | 射频双极晶体管 |
| 供应商器件封装 | USM |
| 其它名称 | MT3S16U(TE85LF)DKR |
| 功率-最大值 | 100mW |
| 功率耗散 | 100 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 2 V |
| 商标 | Toshiba |
| 噪声系数（dB，不同f时的典型值） | 2.4dB @ 1GHz |
| 增益 | 4.5dBi |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 封装/箱体 | SC-70-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 技术 | Silicon |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | Bipolar |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大工作频率 | 4 GHz (Typ) |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 5V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 60mA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 类型 | UHF Band Oscillator and Amplifier |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 5 V |
| 集电极连续电流 | 60 mA |
| 频率 | 4 GHz (Typ) |
| 频率-跃迁 | 4GHz |
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