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  • 型号: MT3S16U(TE85L,F)
  • 制造商: Toshiba America Electronic Components, Inc.
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT3S16U(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT3S16U(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.MT3S16U(TE85L,F)封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT3S16U(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT3S16U(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM射频双极晶体管 RF 50mW 5.5dB 10V USM 60mA 2GHz

产品分类

RF 晶体管 (BJT)分离式半导体

品牌

ToshibaToshiba Semiconductor and Storage

产品手册

http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1922700&lineid=83&subcategoryid=1936988&familyid=900135

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频双极晶体管,Toshiba MT3S16U(TE85L,F)-

mouser_ship_limit

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数据手册

http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=MT3S16U

产品型号

MT3S16U(TE85L,F)MT3S16U(TE85L,F)

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

80 @ 5mA, 1V

产品种类

射频双极晶体管

供应商器件封装

USM

其它名称

MT3S16U(TE85LF)DKR

功率-最大值

100mW

功率耗散

100 mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

2 V

商标

Toshiba

噪声系数(dB,不同f时的典型值)

2.4dB @ 1GHz

增益

4.5dBi

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SC-70,SOT-323

封装/箱体

SC-70-3

工厂包装数量

3000

技术

Silicon

晶体管极性

NPN

晶体管类型

Bipolar

最大工作温度

+ 125 C

最大工作频率

4 GHz (Typ)

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

5V

电流-集电极(Ic)(最大值)

60mA

直流集电极/BaseGainhfeMin

80

类型

UHF Band Oscillator and Amplifier

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

5 V

集电极连续电流

60 mA

频率

4 GHz (Typ)

频率-跃迁

4GHz

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