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产品简介:
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MT18VDDF12872HY-335J1 是一款由 Micron Technology 生产的 DDR4 内存模块,具体应用场景如下: 1. 服务器和数据中心 该内存模块广泛应用于高性能服务器和数据中心。DDR4 内存具有更高的带宽、更低的功耗和更好的稳定性,能够满足大规模数据处理、云计算、虚拟化等应用的需求。在多核处理器和高并发任务环境中,DDR4 内存可以显著提升系统的整体性能。 2. 工作站 对于需要大量内存的工作站,如图形设计、视频编辑、3D 建模和科学计算等领域,MT18VDDF12872HY-335J1 提供了足够的内存容量和带宽,确保复杂任务的高效运行。其低延迟特性有助于减少数据传输时间,提高工作效率。 3. 网络设备 在网络交换机、路由器和其他网络基础设施中,DDR4 内存用于存储临时数据和缓存,以加速数据包处理和转发。MT18VDDF12872HY-335J1 的高可靠性和低功耗特性使其成为这些设备的理想选择。 4. 工业控制系统 在工业自动化和控制系统中,内存模块需要具备高稳定性和可靠性。MT18VDDF12872HY-335J1 可以用于PLC(可编程逻辑控制器)、SCADA(数据采集与监控系统)等设备,确保实时数据处理和控制指令的准确执行。 5. 嵌入式系统 某些高性能嵌入式系统,如智能交通、医疗设备和航空航天领域,对内存的要求较高。MT18VDDF12872HY-335J1 的紧凑设计和高性能特点使其适合应用于这些对空间和性能有严格要求的场景。 总之,MT18VDDF12872HY-335J1 凭借其出色的性能、稳定性和低功耗特性,适用于多种高性能计算和关键任务环境。
参数 | 数值 |
产品目录 | 存储卡,模块 |
描述 | MODULE DDR SDRAM 1GB 200SODIMM |
产品分类 | 存储器 - 模块 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT18VDDF12872HY-335J1 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 1GB |
封装/外壳 | 200-SODIMM |
标准包装 | 100 |
速度 | 333MT/s |