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产品简介:
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MT18VDDF12872HY-335F1 是一款由 Micron Technology 生产的 DDR3L(低电压版 DDR3)内存模块,具体型号为 MT18VDDF12872HY-335F1。这款内存芯片主要用于需要高性能和低功耗的电子设备中,尤其适合对内存带宽和容量有较高要求的应用场景。 应用场景: 1. 嵌入式系统:该芯片常用于嵌入式系统的主存储器,如工业控制、医疗设备、通信基站等。由于其低功耗特性,适用于需要长时间稳定运行且对功耗敏感的设备。 2. 消费电子产品:在智能手机、平板电脑、智能电视等消费电子产品中,DDR3L 内存可以提供较高的数据传输速率,同时降低功耗,延长电池续航时间。 3. 网络设备:路由器、交换机等网络设备通常需要快速处理大量数据包,DDR3L 内存能够提供足够的带宽和低延迟,确保数据传输的高效性。 4. 服务器和数据中心:虽然 DDR3L 已逐渐被更新的 DDR4 和 DDR5 所取代,但在某些老旧或低成本服务器平台中,DDR3L 仍然是常见的选择。它能够满足中小规模数据中心的基本需求,特别是在需要扩展内存容量但预算有限的情况下。 5. 汽车电子:现代汽车中的信息娱乐系统、驾驶辅助系统(ADAS)等都需要高性能的内存支持。DDR3L 的低功耗和稳定性使其成为这些应用场景的理想选择。 6. 物联网(IoT)设备:对于一些复杂的 IoT 设备,如智能传感器、网关等,DDR3L 内存可以提供足够的性能来处理大量的传感数据和网络通信任务。 总的来说,MT18VDDF12872HY-335F1 主要应用于对性能和功耗有较高要求的领域,尤其是在需要长时间稳定运行的设备中表现出色。
参数 | 数值 |
产品目录 | 存储卡,模块 |
描述 | MODULE DDR SDRAM 1GB 200-SODIMM |
产品分类 | 存储器 - 模块 |
品牌 | Micron Technology Inc |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MT18VDDF12872HY-335F1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
其它名称 | 557-1173 |
存储器类型 | DDR SDRAM |
存储容量 | 1GB |
封装/外壳 | 200-SODIMM |
标准包装 | 100 |
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速度 | 333MT/s |