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  • 型号: MSMBJ6.0AE3
  • 制造商: MICRO-SEMI
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MSMBJ6.0AE3由MICRO-SEMI设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSMBJ6.0AE3价格参考。MICRO-SEMIMSMBJ6.0AE3封装/规格:TVS - 二极管, 。您可以下载MSMBJ6.0AE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSMBJ6.0AE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Microsemi Corporation(现为Microchip Technology的一部分)生产的MSMBJ6.0AE3是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管,主要应用于保护电路免受瞬态电压和静电放电(ESD)的损害。以下是该型号的具体应用场景:

1. 通信设备:在各种通信设备中,如手机、路由器、交换机等,MSMBJ6.0AE3可以保护敏感的电子元件免受雷击、静电放电和其他瞬态电压的损害。它能够快速响应并钳位过高的电压,确保信号传输的稳定性和可靠性。

2. 消费电子产品:在电视、音响系统、智能家电等消费电子产品中,MSMBJ6.0AE3用于保护电源输入端口、USB接口、HDMI接口等关键部位,防止外部干扰或不当操作导致的损坏。

3. 工业控制:在工业自动化系统中,如PLC控制器、传感器、执行器等,MSMBJ6.0AE3可以有效抵御电磁干扰(EMI)和电快速瞬变脉冲群(EFT),保障系统的正常运行和数据传输的准确性。

4. 汽车电子:在汽车电子系统中,如发动机控制单元(ECU)、车载娱乐系统、倒车雷达等,MSMBJ6.0AE3可以保护电路免受点火噪声、电池电压波动等瞬态现象的影响,提高车辆的安全性和可靠性。

5. 医疗设备:在医疗仪器中,如心电图机、超声波设备、监护仪等,MSMBJ6.0AE3用于保护内部电路,确保设备在复杂电磁环境中仍能精确工作,避免因瞬态电压导致误诊或故障。

6. 计算机及周边设备:在计算机主板、显卡、硬盘驱动器等部件中,MSMBJ6.0AE3可以保护这些组件免受静电放电和瞬态电压的损害,延长设备的使用寿命。

总之,MSMBJ6.0AE3凭借其快速响应时间和低箝位电压特性,广泛应用于各种需要高可靠性和抗干扰能力的电子设备中,提供有效的过压保护。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

电路保护

描述

TVS DIODE 6VWM 10.3VC DO214AA

产品分类

TVS - 二极管

品牌

Microsemi HI-REL [MIL]

数据手册

http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/10560-msmb-pdf

产品图片

产品型号

MSMBJ6.0AE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同频率时的电容

-

供应商器件封装

SMBJ(DO-214AA)

其它名称

1086-8134

功率-峰值脉冲

600W

包装

散装

单向通道

1

双向通道

-

安装类型

表面贴装

封装/外壳

DO-214AA,SMB

工作温度

-65°C ~ 150°C

应用

通用

标准包装

1

电压-击穿(最小值)

6.67V

电压-反向关态(典型值)

6V

电压-箝位(最大值)@Ipp

10.3V

电流-峰值脉冲(10/1000µs)

58.3A

电源线路保护

类型

齐纳

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