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  • 型号: MSD1328-RT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MSD1328-RT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MSD1328-RT1G价格参考。ON SemiconductorMSD1328-RT1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 20V 500mA 200mW 表面贴装 SC-59。您可以下载MSD1328-RT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MSD1328-RT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor的MSD1328-RT1G是一款双极晶体管(BJT),属于单晶体管类型。该器件主要应用于需要高效开关和线性放大功能的电路中,特别是在要求高可靠性和稳定性的工业及汽车电子系统中。

应用场景:

1. 电源管理:
   MSD1328-RT1G常用于直流-直流转换器、稳压器等电源管理系统中。它能够提供高效的开关性能,确保电压和电流的稳定输出,适用于各种工业设备和消费电子产品中的电源调节。

2. 电机控制:
   在电机驱动电路中,该晶体管可以作为开关元件,精确控制电机的启动、停止和速度调节。其高可靠性使得它在工业自动化、家电以及电动工具等领域得到广泛应用。

3. 信号放大:
   该晶体管具备良好的线性放大特性,可用于音频放大器、传感器信号调理等场合。它可以将微弱的输入信号放大到足够强度,以满足后续处理或传输的需求。

4. 保护电路:
   MSD1328-RT1G还可以用作过流保护、短路保护等安全机制中的关键组件。通过监测电流水平并在异常情况下迅速切断电路,从而保护整个系统的正常运行。

5. 通信设备:
   在某些通信模块中,如射频前端电路,这款晶体管能够发挥重要作用。它可以帮助实现功率放大、频率调制等功能,保证数据传输的质量和效率。

6. 汽车电子:
   鉴于其出色的耐高温特性和抗干扰能力,MSD1328-RT1G非常适合应用于汽车电子系统,例如发动机控制单元(ECU)、车身控制系统等。这些应用环境通常对元器件的稳定性和耐用性有较高要求。

总之,MSD1328-RT1G凭借其优异的电气性能和广泛的适用范围,在众多领域内扮演着重要角色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN GP BIPO 20V SC-59两极晶体管 - BJT 500mA 25V NPN

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MSD1328-RT1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MSD1328-RT1G

PCN设计/规格

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PCN过时产品

点击此处下载产品Datasheet

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 20mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 500mA,2V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-59

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

12 V

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SC-59-3

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

NPN

最大功率耗散

0.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

20V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

20 V

集电极—基极电压VCBO

25 V

集电极—射极饱和电压

0.4 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

-

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