ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VS25LR5
Datasheet下载- 型号： MRFE6VS25LR5
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VS25LR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VS25LR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VS25LR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 50V 10mA 512MHz 25.9dB 25W NI-360。您可以下载MRFE6VS25LR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VS25LR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET VHV6E 25W 50V NI360L射频MOSFET晶体管 VHV6E 25W50V NI360L |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VS25LR5- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRFE6VS25LR5 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 140 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 140 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 产品类型 | RF Power LDMOS Transistor |
| 供应商器件封装 | NI-360 |
| 功率-输出 | 25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 3 g |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 25.9 dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | NI-360 |
| 封装/箱体 | NI-360-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 技术 | LDMOS |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | LDMOS Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 140 V |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 133V |
| 电流-测试 | 10mA |
| 系列 | MRFE6VS25N |
| 配置 | Single |
| 频率 | 1.8 MHz to 2000 MHz |
| 额定电流 | 7µ |
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