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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP6300HR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP6300HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP6300HR5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双) 50V 100mA 230MHz 26.5dB 300W NI-780-4。您可以下载MRFE6VP6300HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRFE6VP6300HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | FET RF 2N-CH 230MHZ 50V NI780-4射频MOSFET晶体管 VHV6 300W50VISM NI780H-4 |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 100 mA |
Id-连续漏极电流 | 100 mA |
品牌 | Freescale Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRFE6VP6300HR5- |
数据手册 | |
产品型号 | MRFE6VP6300HR5 |
Pd-PowerDissipation | 1050 W |
Pd-功率耗散 | 1050 W |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 130 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 130 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.2 V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
供应商器件封装 | NI-780-4 |
其它名称 | MRFE6VP6300HR5DKR |
功率-输出 | 300W |
功率耗散 | 1050 W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 6.396 g |
商标 | Freescale Semiconductor |
噪声系数 | - |
增益 | 26.6 dB at 230 MHz |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | NI-780-4 |
封装/箱体 | NI-780-4 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | LDMOS(双) |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 130 V |
漏极连续电流 | 100 mA |
电压-测试 | 50V |
电压-额定 | 125V |
电流-测试 | 100mA |
系列 | MRFE6VP6300H |
输出功率 | 300 W at Peak |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | 10 V |
频率 | 1.8 MHz to 600 MHz |
额定电流 | - |