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Datasheet下载- 型号： MRFE6VP61K25HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25HSR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S。您可以下载MRFE6VP61K25HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NXP USA Inc. 生产的型号为 MRFE6VP61K25HSR6 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），特别适用于射频 (RF) 应用。以下是该型号的主要应用场景： 1. 射频功率放大器 MRFE6VP61K25HSR6 主要用于射频功率放大器中，特别是在 L 波段和 S 波段（频率范围从 1 GHz 到 3 GHz）。它能够提供高功率输出，适合需要高效能和高可靠性的无线通信系统。例如，在基站、卫星通信、雷达系统等设备中，这种 MOSFET 可以有效地放大信号，确保信号传输的稳定性和可靠性。 2. 无线电发射机 在无线电发射机中，MRFE6VP61K25HSR6 可以作为末级功率放大器的关键组件。它能够承受较高的工作电压和电流，同时保持较低的热损耗，从而延长设备的使用寿命并提高整体性能。此外，它的高频特性使其非常适合应用于短波、中波以及调频广播等领域。 3. 无线通信设备 这款 MOSFET 还广泛应用于各种无线通信设备中，如 Wi-Fi 路由器、蓝牙模块、物联网 (IoT) 设备等。在这些应用中，它能够提供稳定的射频信号放大，确保数据传输的准确性和速度。特别是在需要长距离传输或高带宽的应用场景下，MRFE6VP61K25HSR6 的高性能表现尤为突出。 4. 工业与医疗设备 在一些工业和医疗设备中，如超声波设备、微波炉、磁共振成像 (MRI) 系统等，MRFE6VP61K25HSR6 可以用于射频信号的产生和放大。它能够在高温、高湿度等恶劣环境下稳定工作，确保设备的安全性和可靠性。 5. 军事与航空航天 由于其出色的性能和可靠性，MRFE6VP61K25HSR6 在军事和航空航天领域也有广泛应用。例如，在军用通信设备、导航系统、导弹制导系统等关键任务中，它能够提供稳定的射频信号放大，确保系统的正常运行。 总之，MRFE6VP61K25HSR6 是一款专为射频应用设计的高性能 MOSFET，广泛应用于通信、工业、医疗、军事等多个领域，尤其适合需要高效能和高可靠性的射频功率放大场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP61K25HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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