ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRFE6VP61K25HSR6
Datasheet下载- 型号： MRFE6VP61K25HSR6
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP61K25HSR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP61K25HSR6价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP61K25HSR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 24dB 1250W NI-1230S。您可以下载MRFE6VP61K25HSR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP61K25HSR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRFE6VP61K25HSR6 是一款由三菱电机（Mitsubishi Electric）生产的高效氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），适用于高频和高功率应用。其主要应用场景包括： 1. 射频功率放大器 该器件在射频功率放大器中表现出色，尤其是在需要高效率和宽带宽的通信系统中。它广泛应用于基站、雷达、卫星通信等领域的射频前端模块。由于其低损耗和高增益特性，能够显著提高系统的传输距离和信号质量。 2. 无线基础设施 在5G及未来的无线通信基础设施中，MRFE6VP61K25HSR6 可以用于大规模MIMO（多输入多输出）天线阵列中的功率放大器。其高频特性和高效率使得它能够在毫米波段（如28GHz、39GHz）等高频段下工作，支持更高带宽的数据传输。 3. 航空航天与国防 在航空航天和国防领域，该器件可用于相控阵雷达、电子战设备以及卫星通信系统。其高可靠性和耐高温性能使其能够在极端环境下稳定工作，满足军事和航天任务的严格要求。 4. 工业与医疗设备 在工业应用中，MRFE6VP61K25HSR6 可用于等离子体发生器、激光器驱动等高频电源设备。在医疗设备方面，它可以用于MRI（磁共振成像）设备中的射频发射器，提供稳定的射频能量输出，确保图像质量。 5. 测试与测量设备 在实验室环境中，该器件常用于高性能的射频信号源、频谱分析仪等测试设备中。其出色的线性度和稳定性有助于提高测试精度，减少误差。 总之，MRFE6VP61K25HSR6 凭借其卓越的高频性能、高效率和可靠性，在多个高科技领域中发挥着重要作用，尤其适合对射频功率有较高要求的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 1.25KW NI-1230S |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRFE6VP61K25HSR6 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25317 |
| 供应商器件封装 | NI-1230S |
| 功率-输出 | 1250W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 24dB |
| 封装/外壳 | NI-1230S |
| 晶体管类型 | LDMOS（双） |
| 标准包装 | 150 |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 频率 | 230MHz |
| 额定电流 | - |
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