【晶体管 - FET，MOSFET - 射频_MRFE6VP5150GNR1】封装/厂家_MRFE6VP5150GNR1中文资料_价格

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型号： MRFE6VP5150GNR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRFE6VP5150GNR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRFE6VP5150GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRFE6VP5150GNR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 100mA 230MHz 26.1dB 150W TO-270 WB-4 鸥翼形。您可以下载MRFE6VP5150GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRFE6VP5150GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的型号为 MRFE6VP5150GNR1 的晶体管属于 FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）中的射频类别。该器件主要应用于高频、高功率的射频领域，具体应用场景包括：

1. 射频功率放大器：  
   该型号适合用于射频功率放大器的设计，特别是在无线通信系统中。它能够提供高增益和高效率，在基站、中继器和其他无线基础设施设备中发挥重要作用。

2. 广播发射机：  
   在广播领域，MRFE6VP5150GNR1 可以用作高功率射频放大器的核心组件，支持 AM/FM 或其他类型的广播信号传输。

3. 雷达系统：  
   雷达需要高功率射频信号来探测目标，这款 MOSFET 可以在脉冲或连续波雷达系统中提供所需的射频能量。

4. 业余无线电设备：  
   对于业余无线电爱好者，该器件可用于自制或改装的高功率射频发射机中，满足实验和通信需求。

5. 工业、科学和医疗（ISM）应用：  
   在 ISM 频段内，例如微波加热、等离子体生成等应用中，该器件可以提供稳定的高功率射频输出。

6. 卫星通信：  
   卫星地面站的上行链路设备可能需要用到此类高功率射频晶体管，以确保信号能够有效传输到卫星。

7. 测试与测量设备：  
   高性能的射频测试仪器（如信号发生器或频谱分析仪）可能需要这种晶体管来生成或处理高功率射频信号。

MRFE6VP5150GNR1 的设计使其能够在高频条件下保持良好的线性度和稳定性，同时具备较高的击穿电压和低热阻特性，这使得它非常适合上述各种高要求的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS RF LDMOS 150W TO-270 GW
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRFE6VP5150GNR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-270 WB-4 鸥翼形
其它名称	MRFE6VP5150GNR1DKR
功率-输出	*
包装	Digi-Reel®
噪声系数	-
增益	*
封装/外壳	TO-270BB
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	1
电压-测试	50V
电压-额定	133V
电流-测试	100mA
频率	230MHz
额定电流	-