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型号： MRF8S9100HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF8S9100HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF8S9100HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF8S9100HR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 500mA 920MHz 19.3dB 72W NI-780。您可以下载MRF8S9100HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF8S9100HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF8S9100HR5 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频晶体管，具体属于 FET（场效应晶体管）和 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件专为射频应用而设计，适用于高频、高功率的无线通信系统。

 应用场景：

1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)：
   MRF8S9100HR5 主要用于射频功率放大器中，特别是在基站、雷达和其他需要高效传输大功率射频信号的设备中。它能够在高频段（如 S 波段）提供高功率输出，同时保持较低的热损耗和高效率。

2. 无线通信基础设施：
   该器件广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波链路和卫星通信系统。它能够处理高频率和大功率信号，确保通信系统的稳定性和可靠性。例如，在 4G 和 5G 基站中，MRF8S9100HR5 可以作为关键组件，帮助实现更远的覆盖范围和更高的数据传输速率。

3. 航空航天与国防：
   在航空航天和国防领域，MRF8S9100HR5 被用于各种高性能射频设备，如雷达系统、电子战设备和导航系统。其高可靠性和抗干扰能力使其成为这些应用场景的理想选择。

4. 工业与科学应用：
   除了通信领域，MRF8S9100HR5 还可以应用于工业加热、等离子体生成等需要高功率射频源的场合。它的高功率输出和稳定性使得它在这些应用中表现出色。

5. 测试与测量设备：
   在射频测试与测量设备中，MRF8S9100HR5 可以作为信号源或放大器，帮助工程师进行精确的射频性能测试。其宽频带和高线性度特性使其适合用于实验室环境中的复杂测试任务。

 总结：
MRF8S9100HR5 是一款高性能的射频 MOSFET，特别适用于需要高功率、高频和高效率的应用场景。无论是通信基础设施、航空航天还是工业设备，它都能提供卓越的性能和可靠性。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 100W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF8S9100HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	72W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.3dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	100
电压-测试	28V
电压-额定	70V
电流-测试	500mA
频率	920MHz
额定电流	10µA