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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF7S15100HR3由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF7S15100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF7S15100HR3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS 28V 600mA 1.51GHz 19.5dB 23W NI-780。您可以下载MRF7S15100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF7S15100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET RF N-CH 28V 23W NI780射频MOSFET晶体管 HV7 1.5GHZ 28V 23W NI780 |
产品分类 | RF FET分离式半导体 |
品牌 | Freescale Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF7S15100HR3- |
数据手册 | |
产品型号 | MRF7S15100HR3 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V, 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V, 10 V |
产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
产品类型 | RF MOSFET Power |
供应商器件封装 | NI-780 |
功率-输出 | 23W |
包装 | 带卷 (TR) |
单位重量 | 6.425 g |
商标 | Freescale Semiconductor |
噪声系数 | - |
增益 | 19.5dB |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | NI-780 |
封装/箱体 | NI-780 |
工厂包装数量 | 250 |
技术 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
晶体管类型 | MOSFET Power |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 250 |
汲极/源极击穿电压 | 65 V |
电压-测试 | 28V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 600mA |
系列 | MRF7S15100H |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | - 6 V, 10 V |
频率 | 1.51GHz |
额定电流 | 10µA |