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型号： MRF6VP21KHR6
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP21KHR6由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP21KHR6价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP21KHR6封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS（双） 50V 150mA 225MHz 24dB 1000W NI-1230。您可以下载MRF6VP21KHR6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6VP21KHR6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6VP21KHR6是由NXP USA Inc.生产的一款射频晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。这款器件主要应用于高频、高功率的射频放大器中，特别是在无线通信系统中的发射端和接收端。

 应用场景

1. 基站放大器：
   MRF6VP21KHR6广泛用于4G LTE和5G基站的功率放大器中。它能够在高频段（如2.1 GHz及更高频率）提供高效率和高线性度，确保信号传输的质量和稳定性。在基站应用中，该器件能够承受高功率输出，同时保持较低的热耗散，延长设备的使用寿命。

2. 射频前端模块（RFFEM）：
   在移动通信设备中，MRF6VP21KHR6可以集成到射频前端模块中，用于增强信号的发射和接收性能。其高增益和低噪声特性使得它在手机、平板电脑等便携式设备中有广泛应用。

3. 雷达系统：
   由于其出色的射频性能，MRF6VP21KHR6也适用于军事和民用雷达系统。它可以作为发射机的一部分，提供强大的射频输出，确保雷达系统的探测范围和精度。

4. 无线基础设施：
   在无线网络基础设施中，如微波回传链路和卫星通信地面站，MRF6VP21KHR6可以作为关键的射频功率放大器组件。它能够在恶劣的环境条件下稳定工作，保证通信链路的可靠性。

5. 工业和医疗设备：
   在一些需要高频射频能量的应用中，例如工业加热、医疗成像设备（如MRI）以及某些类型的医疗器械，MRF6VP21KHR6也能发挥重要作用。它的高可靠性和耐用性使其成为这些领域的理想选择。

总之，MRF6VP21KHR6凭借其卓越的射频性能、高功率处理能力和广泛的适用性，成为了许多高性能射频应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 1000W NI1230
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6VP21KHR6
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-1230
功率-输出	1000W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	24dB
封装/外壳	NI-1230
晶体管类型	LDMOS（双）
标准包装	150
电压-测试	50V
电压-额定	110V
电流-测试	150mA
频率	225MHz
额定电流	5mA