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  • 型号: MRF6VP21KHR5
  • 制造商: Freescale Semiconductor
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MRF6VP21KHR5产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6VP21KHR5由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6VP21KHR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6VP21KHR5封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 射频, 射频 Mosfet LDMOS(双) 50V 150mA 225MHz 24dB 1000W NI-1230。您可以下载MRF6VP21KHR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6VP21KHR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc. 生产的 MRF6VP21KHR5 是一款射频 (RF) MOSFET 晶体管,专为高频应用设计。以下是该型号的主要应用场景:

 1. 射频功率放大器 (RF Power Amplifiers)
MRF6VP21KHR5 主要用于射频功率放大器中,特别是在无线通信系统中。它能够处理高频率和高功率信号,适用于基站、卫星通信、雷达系统等需要高效传输大功率射频信号的场合。其出色的线性和效率使得它在这些应用场景中表现出色。

 2. 无线基础设施
在现代无线通信基础设施中,如4G LTE和5G基站,MRF6VP21KHR5 可以作为关键组件来放大射频信号。它能够在高频率下提供稳定的功率输出,确保信号的远距离传输和高质量通信。此外,它还支持多载波技术,能够同时处理多个信道的信号,提高系统的整体性能。

 3. 工业与科学设备
该晶体管也广泛应用于工业和科学领域,例如等离子体发生器、医疗设备(如MRI机)中的射频电源模块。这些设备通常需要高功率的射频源来驱动特定的物理或化学过程,MRF6VP21KHR5 的高功率处理能力和稳定性使其成为理想选择。

 4. 测试与测量仪器
在射频测试与测量仪器中,如频谱分析仪、信号发生器等,MRF6VP21KHR5 可以用于生成和放大射频信号。它的低噪声特性和宽频带响应使得它非常适合用于精确的射频信号测量和分析,帮助工程师和技术人员进行高性能的射频测试。

 5. 军事与航空航天
由于其高可靠性和耐高温特性,MRF6VP21KHR5 还被广泛应用于军事和航空航天领域。例如,在军用雷达、电子战系统、卫星通信设备中,这款晶体管可以确保在极端环境下的稳定运行,并提供所需的高功率射频输出。

总之,MRF6VP21KHR5 凭借其卓越的射频性能和可靠性,广泛应用于各种需要高功率射频信号处理的场景,特别是在无线通信、工业设备和军事领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET RF N-CH 50V NI-1230

产品分类

RF FET

品牌

Freescale Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

MRF6VP21KHR5

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

供应商器件封装

NI-1230

其它名称

MRF6VP21KHR5CT

功率-输出

1000W

包装

剪切带 (CT)

噪声系数

-

增益

24dB

封装/外壳

NI-1230

晶体管类型

LDMOS(双)

标准包装

1

电压-测试

50V

电压-额定

110V

电流-测试

150mA

频率

225MHz

额定电流

5mA

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