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型号： MRF6S9130HR5
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9130HR5由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9130HR5价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9130HR5封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 950mA 880MHz 19.2dB 27W NI-780。您可以下载MRF6S9130HR5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9130HR5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9130HR5 是由 NXP USA Inc. 生产的射频 MOSFET 晶体管，主要应用于高频射频功率放大器领域。这款晶体管具有高功率输出和高效率的特点，适用于多种无线通信设备和技术。

 应用场景：

1. 无线基站：
   MRF6S9130HR5 广泛应用于无线基站中的射频功率放大器，特别是在 4G LTE 和 5G 基站中。它能够提供稳定的高功率输出，确保信号传输的可靠性和覆盖范围。其高效率有助于减少基站的能耗，降低运营成本。

2. 无线电通信设备：
   该晶体管适用于各种无线电通信设备，如对讲机、车载电台等。它可以提高设备的发射功率，增强通信距离和信号质量，尤其在恶劣环境下的通信可靠性表现优异。

3. 雷达系统：
   在军事和民用雷达系统中，MRF6S9130HR5 可以用于射频前端的功率放大器。其高线性度和低噪声特性使得雷达系统能够更精确地探测目标，提升系统的整体性能。

4. 卫星通信：
   卫星通信设备需要高效的射频功率放大器来保证信号的远距离传输。MRF6S9130HR5 的高功率输出和高效率使其成为卫星通信地面站的理想选择，确保信号传输的稳定性和可靠性。

5. 工业应用：
   在工业自动化和物联网（IoT）领域，MRF6S9130HR5 可用于各种无线传感器网络和远程控制设备。它的高效能和稳定性可以确保数据传输的准确性和实时性，满足工业级应用的需求。

 总结：
MRF6S9130HR5 凭借其出色的射频性能和高效率，广泛应用于无线基站、无线电通信设备、雷达系统、卫星通信以及工业自动化等领域。它不仅提升了设备的性能，还降低了能耗，为用户提供了更加可靠和高效的射频解决方案。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 27W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9130HR5
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	27W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	19.2dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	50
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	950mA
频率	880MHz
额定电流	10µA