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Datasheet下载- 型号： MRF6S9045NR1
- 制造商： Freescale Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045NR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045NR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045NR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet LDMOS 28V 350mA 880MHz 22.7dB 10W TO-270-2。您可以下载MRF6S9045NR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045NR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MRF6S9045NR1 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，专为高功率射频应用设计。该器件属于 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术系列，具有出色的射频性能和可靠性。以下是 MRF6S9045NR1 的主要应用场景： 1. 无线通信基站 MRF6S9045NR1 广泛应用于无线通信基站的射频功率放大器中，特别是在 4G LTE 和 5G 基站中。它能够提供高功率输出，同时保持较低的失真和较高的效率，确保信号传输的稳定性和质量。该器件的工作频率范围较广，适用于多种无线通信标准。 2. 雷达系统 在军事和民用雷达系统中，MRF6S9045NR1 可用于发射机部分的功率放大。雷达系统要求高功率输出和快速响应时间，MRF6S9045NR1 的高频特性和高效能使其成为理想选择。它可以支持脉冲调制信号的放大，确保雷达系统的探测精度和覆盖范围。 3. 射频测试设备 射频测试设备如信号发生器、频谱分析仪等需要高精度和高功率的射频信号源。MRF6S9045NR1 可以作为这些设备中的关键组件，提供稳定的射频功率输出，帮助工程师进行精确的射频特性测试和分析。 4. 工业加热与等离子体应用 在某些工业应用中，如等离子体生成、材料加热等，需要高功率的射频能量来驱动等离子体或加热材料。MRF6S9045NR1 可以在这种环境中提供所需的高功率射频输出，确保等离子体的稳定性和加热效率。 5. 航空航天与卫星通信 在航空航天和卫星通信领域，MRF6S9045NR1 可用于地面站和卫星之间的射频信号传输。其宽频带特性和高可靠性使其能够在严苛的太空环境中长时间稳定工作，确保通信链路的质量和稳定性。 总结 MRF6S9045NR1 凭借其卓越的射频性能和高功率输出能力，广泛应用于无线通信基站、雷达系统、射频测试设备、工业加热以及航空航天等领域。它不仅提供了高效的射频功率放大，还具备良好的线性度和可靠性，是高性能射频应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-270-2 |
| 产品分类 | RF FET |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MRF6S9045NR1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | TO-270-2 |
| 功率-输出 | 10W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 22.7dB |
| 封装/外壳 | TO-270AA |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 标准包装 | 500 |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 68V |
| 电流-测试 | 350mA |
| 频率 | 880MHz |
| 额定电流 | 10µA |
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