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型号： MRF6S9045NBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045NBR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 350mA 880MHz 22.7dB 10W TO-272-2。您可以下载MRF6S9045NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9045NBR1 是由 NXP USA Inc. 生产的一款射频 MOSFET 晶体管，主要用于高频和射频应用领域。该器件具有高功率处理能力、低导通电阻和优异的热性能，适用于多种无线通信和射频功率放大器的设计。

 应用场景

1. 蜂窝基站：
   MRF6S9045NBR1 广泛应用于蜂窝基站的射频功率放大器中。它能够提供高效的功率输出，在 3G、4G LTE 和 5G 基站中表现出色。其高线性度和低失真特性使得信号传输更加稳定可靠，减少了干扰和噪声。

2. 无线电通信设备：
   在军事和民用无线电通信系统中，该晶体管用于实现高效能的射频功率放大。其宽频带特性和高增益使其适用于各种频率范围的通信设备，如对讲机、移动电台等。

3. 工业、科学和医疗 (ISM) 领域：
   MRF6S9045NBR1 可用于 ISM 频段的设备，如微波炉、无线传感器网络、射频识别 (RFID) 系统等。其高功率处理能力和可靠性确保了这些设备在复杂环境下的稳定运行。

4. 雷达系统：
   在雷达系统中，MRF6S9045NBR1 用于发射机部分的功率放大。它能够在高功率条件下保持良好的线性度和效率，从而提高雷达系统的探测距离和精度。

5. 卫星通信：
   卫星通信系统需要高性能的射频功率放大器来保证信号的远距离传输。MRF6S9045NBR1 的高效率和低热阻特性使其成为卫星地面站和卫星终端的理想选择。

 性能优势

- 高功率输出：能够在较宽的频率范围内提供稳定的高功率输出。
- 低导通电阻：减少了能量损耗，提高了整体效率。
- 优异的热性能：具备较低的热阻，有助于散热，延长使用寿命。
- 高线性度和低失真：确保了信号传输的质量，减少了干扰。

总之，MRF6S9045NBR1 凭借其卓越的性能和可靠性，广泛应用于各种射频功率放大器和通信系统中，为现代无线通信技术的发展提供了有力支持。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9045NBR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272-2
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22.7dB
封装/外壳	TO-272BC
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	350mA
频率	880MHz
额定电流	10µA