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型号： MRF6S9045NBR1
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S9045NBR1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S9045NBR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S9045NBR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 350mA 880MHz 22.7dB 10W TO-272-2。您可以下载MRF6S9045NBR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S9045NBR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MRF6S9045NBR1是一款由MACOM（现被Analog Devices收购）生产的高功率射频晶体管，专为工作在L频段（1.2 - 1.4 GHz）和S频段（2.7 - 3.1 GHz）的通信系统设计。该器件采用横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术，具有高效率、高线性度和优异的热性能，适用于多种射频功率放大器应用。

 应用场景：

1. 无线通信基站：
   MRF6S9045NBR1广泛应用于无线通信基站中的射频功率放大器，特别是在4G LTE和未来的5G网络中。它能够提供高达45W的输出功率，在S频段下表现出色，适用于TDD-LTE、FDD-LTE等标准。其高效率和线性度有助于提高基站的覆盖范围和信号质量，同时降低能耗。

2. 雷达系统：
   在军事和民用雷达系统中，MRF6S9045NBR1可用于发射机部分的功率放大。其高功率输出和稳定性使其适合用于气象雷达、空中交通管制雷达以及军事侦察雷达等应用场景。特别是在需要长距离探测和高精度测量的情况下，该器件的表现尤为突出。

3. 卫星通信：
   卫星通信系统对射频功率放大器的要求极高，MRF6S9045NBR1凭借其高可靠性和宽频带特性，成为地面站和移动终端的理想选择。它可以用于上行链路的功率放大，确保信号能够在地球与卫星之间稳定传输，尤其适用于VSAT（甚小孔径终端）系统。

4. 工业、科学和医疗设备：
   在ISM（工业、科学和医学）频段的应用中，如微波加热、材料处理和医疗成像等领域，MRF6S9045NBR1可以作为功率源。其高效率和紧凑的设计使得它在这些应用中具有显著优势，尤其是在需要高功率输出且空间有限的情况下。

5. 测试与测量设备：
   射频测试仪器如信号发生器、频谱分析仪等也需要高性能的功率放大器。MRF6S9045NBR1的高线性度和宽动态范围使其成为这些设备中的关键组件，确保测试结果的准确性和可靠性。

总之，MRF6S9045NBR1以其卓越的性能和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CH 28V 10W TO-272-2
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S9045NBR1
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	TO-272-2
功率-输出	10W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	22.7dB
封装/外壳	TO-272BC
晶体管类型	LDMOS
标准包装	500
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	350mA
频率	880MHz
额定电流	10µA