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型号： MRF6S23100HR3
制造商： Freescale Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S23100HR3由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S23100HR3价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S23100HR3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频，射频 Mosfet LDMOS 28V 1A 2.4GHz 15.4dB 20W NI-780。您可以下载MRF6S23100HR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF6S23100HR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NXP USA Inc.生产的MRF6S23100HR3是一款射频（RF）晶体管，属于FET（场效应晶体管）和MOSFET类别。该型号主要应用于高频、高功率的射频场景，以下是其典型应用场景：

1. 射频功率放大器：  
   MRF6S23100HR3适用于设计高效能的射频功率放大器，广泛用于无线通信系统中，例如基站、无线电发射机和其他需要高功率输出的设备。

2. 工业、科学和医疗（ISM）领域：  
   该器件可用于ISM频段内的设备，如微波加热、等离子体生成和射频治疗设备，提供稳定的高功率输出。

3. 航空与国防：  
   在雷达系统、卫星通信和电子战设备中，MRF6S23100HR3能够满足高可靠性、高效率和宽频带的要求。

4. 广播系统：  
   用于FM/AM广播发射机中，提供高质量的信号放大和传输能力，确保覆盖范围广且信号稳定。

5. 测试与测量设备：  
   在高性能射频信号发生器或频谱分析仪中，该器件可提供精确的信号放大功能。

MRF6S23100HR3凭借其高功率处理能力和宽频率范围，在上述领域中表现出色，同时具备良好的线性度和效率，适合对性能要求较高的应用环境。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET RF N-CHAN 28V 20W NI-780
产品分类	RF FET
品牌	Freescale Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MRF6S23100HR3
PCN过时产品	http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	NI-780
功率-输出	20W
包装	带卷（TR）
噪声系数	-
增益	15.4dB
封装/外壳	NI-780
晶体管类型	LDMOS
标准包装	250
电压-测试	28V
电压-额定	68V
电流-测试	1A
频率	2.3GHz
额定电流	10µA