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  • 型号: MRF6S20010GNR1
  • 制造商: Freescale Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MRF6S20010GNR1由Freescale Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF6S20010GNR1价格参考。Freescale SemiconductorMRF6S20010GNR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MRF6S20010GNR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MRF6S20010GNR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFT RF N-CH 28V 10W TO270-2 GW射频MOSFET晶体管 HV6 2GHZ 10W

产品分类

RF FET分离式半导体

品牌

Freescale Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,Freescale Semiconductor MRF6S20010GNR1-

数据手册

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产品型号

MRF6S20010GNR1

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

68 V

Vds-漏源极击穿电压

68 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 0.5 V, 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 0.5 V, 12 V

产品种类

射频MOSFET晶体管

供应商器件封装

TO-270-2 鸥翼型

其它名称

MRF6S20010GNR1DKR

功率-输出

10W

包装

Digi-Reel®

单位重量

548 mg

商标

Freescale Semiconductor

噪声系数

-

增益

15.5dB

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-270-2 鸥翼型

封装/箱体

TO-270

工厂包装数量

500

晶体管极性

N-Channel

晶体管类型

LDMOS

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

68 V

电压-测试

28V

电压-额定

68V

电流-测试

130mA

系列

MRF6S20010N

配置

Single

闸/源击穿电压

- 0.5 V, 12 V

频率

2.17GHz

额定电流

10µA

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