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产品简介:
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NXP USA Inc. 生产的型号为 MRF5S9080NR1 的射频晶体管,属于 FET(场效应晶体管)、MOSFET 类别,主要应用于高频、高功率射频场景。以下是该型号的主要应用场景及特点: 1. 射频功率放大器 - 该型号适用于射频功率放大器的设计,尤其是在无线通信领域。例如,在基站、中继站和其他无线基础设施中,用于增强信号强度。 - 它能够在高频段(如 S 波段或更高)提供高效的功率输出,支持宽带和窄带应用。 2. 广播系统 - 在 FM/AM 广播发射机中,MRF5S9080NR1 可用作功率放大器的核心组件,确保信号覆盖范围广且失真低。 - 其高线性度特性有助于减少信号干扰,提升音频质量。 3. 工业、科学与医疗 (ISM) 领域 - 该器件可用于 ISM 频段的应用,例如微波加热设备、等离子体生成装置以及射频治疗设备。 - 其高功率处理能力和稳定性使其成为这些应用的理想选择。 4. 雷达系统 - 在军事和民用雷达系统中,该型号可作为功率放大器的一部分,提供足够的增益和输出功率以探测远距离目标。 - 支持脉冲调制和连续波操作模式,满足不同雷达需求。 5. 业余无线电 - 对于业余无线电爱好者,MRF5S9080NR1 可用于构建高性能的射频发射机,支持 HF 至 UHF 频段的信号传输。 技术优势 - 高功率输出:能够处理大功率射频信号,适用于需要高增益和高效率的场合。 - 宽频率范围:支持从几十 MHz 到 GHz 的频率范围,适应多种射频应用。 - 高可靠性:采用先进的半导体工艺制造,具备良好的热稳定性和耐用性。 - 低失真:在高功率输出时仍能保持较低的信号失真,保证通信质量。 总之,MRF5S9080NR1 是一款专为高性能射频应用设计的 MOSFET,广泛用于通信、广播、工业和国防等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET RF N-CH 26V 80W TO-270-4 |
产品分类 | RF FET |
品牌 | Freescale Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MRF5S9080NR1 |
PCN过时产品 | http://cache.freescale.com/files/shared/doc/pcn/PCN14765.htm |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
供应商器件封装 | TO-270 WB-4 |
功率-输出 | 90W |
包装 | 带卷 (TR) |
噪声系数 | - |
增益 | 18.5dB |
封装/外壳 | TO-270AB |
晶体管类型 | LDMOS |
标准包装 | 500 |
电压-测试 | 26V |
电压-额定 | 65V |
电流-测试 | 600mA |
频率 | 960MHz |
额定电流 | 10µA |