Datasheet下载- 型号： MRF275G
- 制造商： M/A-COM
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF275G由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF275G价格参考。M/A-COMMRF275G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MRF275G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF275G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF 2N-CH 28V 100MA 375-04射频MOSFET晶体管 5-500MHz 150Watts 28Volt 10dB |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF275G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF275GMRF275G |
| Pd-PowerDissipation | 400 W |
| Pd-功率耗散 | 400 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 65 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 65 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | 375-04， 2 型 |
| 其它名称 | 1465-1173 |
| 功率-输出 | 150W |
| 功率耗散 | 400 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 11.2 dB at 500 MHz11.2dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 375-04 |
| 封装/箱体 | Case 375-04 |
| 工厂包装数量 | 24 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | 2 N 沟道（双）共源 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 6 |
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V |
| 漏极连续电流 | 26 A |
| 电压-测试 | 28V |
| 电压-额定 | 65V |
| 电流-测试 | 100mA |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 100 MHz to 500 MHz500MHz |
| 额定电流 | 26A |
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