ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 > MRF151A
Datasheet下载- 型号： MRF151A
- 制造商： M/A-COM
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MRF151A由M/A-COM设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MRF151A价格参考。M/A-COMMRF151A封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 射频， 射频 Mosfet N 通道 50V 250mA 30MHz ~ 175MHz 13dB ~ 22dB 150W P-244。您可以下载MRF151A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MRF151A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
M/A-Com Technology Solutions的MRF151A是一款射频（RF）功率晶体管，主要用于高频和高功率射频应用。该型号属于场效应晶体管（FET）中的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），特别适用于无线通信、雷达系统和其他需要高效能射频信号放大的场合。 应用场景： 1. 无线通信基站： MRF151A广泛应用于无线通信基站中的射频功率放大器。它能够提供稳定的输出功率，确保信号在长距离传输中保持高质量。其高线性度和低失真特性使得它适合用于多载波或多频段的基站设备，支持多种通信标准如GSM、CDMA、WCDMA等。 2. 雷达系统： 在军事和民用雷达系统中，MRF151A可以作为发射机的关键组件。它能够在高频段（如L波段、S波段）下工作，提供足够的功率输出以满足雷达系统的探测需求。其高可靠性和稳定性使其在恶劣环境下也能正常工作，确保雷达系统的连续运行。 3. 航空电子设备： 航空电子设备中的射频通信和导航系统也依赖于高性能的射频功率晶体管。MRF151A的宽频带特性和高效率使其成为这些系统中的理想选择。它可以用于飞机与地面站之间的通信链路，确保信号传输的稳定性和可靠性。 4. 测试与测量仪器： 射频测试设备如信号发生器、频谱分析仪等也需要高性能的射频功率晶体管。MRF151A的高线性度和低噪声特性使其成为这些仪器的理想选择，能够提供精确的射频信号源，帮助工程师进行各种复杂的测试和测量任务。 5. 业余无线电： 对于业余无线电爱好者来说，MRF151A也是一种常用的射频功率放大器元件。它可以在业余频段内提供足够的功率输出，帮助爱好者实现更远距离的通信，并且具有良好的耐用性和可靠性。 总之，MRF151A凭借其优异的性能和广泛的适用性，在多个领域中发挥着重要作用，特别是在需要高效能射频信号处理的应用中表现尤为突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | FET RF N-CH 50V 150W P-244射频MOSFET晶体管 |
| 产品分类 | RF FET分离式半导体 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 16 A |
| Id-连续漏极电流 | 16 A |
| 品牌 | MACOMM/A-Com Technology Solutions |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,晶体管射频,射频MOSFET晶体管,MACOM MRF151A- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MRF151AMRF151A |
| Pd-PowerDissipation | 416 W |
| Pd-功率耗散 | 416 W |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 125 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 125 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 产品种类 | 射频MOSFET晶体管 |
| 供应商器件封装 | P-244 |
| 其它名称 | 1465-1154 |
| 功率-输出 | 150W |
| 功率耗散 | 416 W |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | MACOM |
| 噪声系数 | - |
| 增益 | 13 dB13dB ~ 22dB |
| 封装/外壳 | P-244 |
| 封装/箱体 | Case 244-4 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 技术 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 晶体管类型 | MOSFET Power |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 10 |
| 汲极/源极击穿电压 | 125 V |
| 漏极连续电流 | 16 A |
| 电压-测试 | 50V |
| 电压-额定 | 125V |
| 电流-测试 | 250mA |
| 类型 | Broadband RF Power FET |
| 输出功率 | 150 W |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 40 V |
| 频率 | 30MHz ~ 175MHz175 MHz |
| 额定电流 | 16A |
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