Datasheet下载- 型号： MR4A08BYS35R
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BYS35R由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BYS35R价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BYS35R封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM） 存储器 IC 16Mb （2M x 8） 并联 35ns 44-TSOP2。您可以下载MR4A08BYS35R参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BYS35R 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Everspin Technologies Inc.的MR4A08BYS35R是一款基于磁性随机存取存储器（MRAM）技术的存储器产品。该型号的应用场景广泛，尤其适用于需要高可靠性、高速度和低功耗的工业、汽车和网络通信领域。 1. 工业自动化：在工业控制系统中，MR4A08BYS35R可以用于存储关键配置数据和实时运行参数。由于其非易失性和快速写入特性，即使在突然断电的情况下，也能确保数据的完整性和安全性。此外，它还能够支持频繁的数据更新，适用于需要频繁读写的工业应用。 2. 汽车电子：在汽车行业中，特别是在自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）中，MR4A08BYS35R可以用于存储传感器数据、行车记录和系统日志等重要信息。其高可靠性和抗辐射性能使其能够在恶劣的环境中稳定工作，确保车辆的安全性和可靠性。 3. 网络通信设备：在网络路由器、交换机和基站等通信设备中，MR4A08BYS35R可以用于存储固件、配置文件和临时数据缓存。其高速读写能力和低延迟特性有助于提高系统的响应速度和整体性能，同时其非易失性也确保了在掉电时数据不会丢失。 4. 数据中心和服务器：在数据中心和服务器应用中，MR4A08BYS35R可以用作高速缓存或持久内存，提供比传统DRAM更高的可靠性和比NAND闪存更快的访问速度。这有助于提升数据处理效率，减少延迟，并提高系统的整体稳定性。 5. 物联网（IoT）设备：在物联网设备中，MR4A08BYS35R可以用于存储设备状态、传感器数据和历史记录。其低功耗和长寿命特性使得它非常适合应用于电池供电的远程传感器节点，确保长时间稳定运行。 总之，MR4A08BYS35R凭借其独特的性能优势，适用于多种对数据安全、速度和可靠性有严格要求的应用场景，特别适合那些需要在极端环境下保持稳定工作的场合。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC) |
| 描述 | IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOP |
| 产品分类 | 存储器 |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MR4A08BYS35R |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 16M（2M x 8） |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 接口 | 并联 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 速度 | 35ns |
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