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型号： MR4A08BYS35
制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BYS35封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM）存储器 IC 16Mb （2M x 8）并联 35ns 44-TSOP2。您可以下载MR4A08BYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Everspin Technologies Inc.生产的MR4A08BYS35是一款基于磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的存储器产品。它具有非易失性、高速读写和高耐用性的特点，适用于多种应用场景。

1. 工业自动化：在工业控制系统中，MR4A08BYS35可以用于保存关键配置数据和运行参数。由于其非易失性和高可靠性，即使在断电情况下也能确保数据不丢失，从而保证系统的稳定性和安全性。

2. 汽车电子：该型号的MRAM可用于汽车电子系统中的数据记录和日志存储。例如，在自动驾驶系统中，它可以实时记录传感器数据和决策过程，为事故分析提供重要依据。此外，它还可以用于存储车辆设置和用户偏好等信息。

3. 网络通信设备：在网络路由器、交换机等通信设备中，MR4A08BYS35可用于缓存临时数据或保存固件更新文件。其高速读写性能有助于提高数据传输效率，而高耐用性则确保了长期使用的稳定性。

4. 物联网（IoT）设备：在物联网应用中，该存储器可以用于边缘计算设备的数据存储。它能够快速响应并处理大量传感器数据，同时保证数据的安全性和完整性。特别适用于智能城市、智能家居等领域。

5. 航空航天与国防：在对可靠性和安全性要求极高的航空航天及国防领域，MR4A08BYS35可用于飞行控制、导航系统等关键任务的数据存储。其抗辐射能力和宽温度范围操作特性使其成为理想选择。

总之，Everspin Technologies Inc.的MR4A08BYS35凭借其独特的技术优势，在多个行业中展现出广泛的应用潜力。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)半导体
描述	IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOPNVRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM
产品分类	存储器集成电路 - IC
品牌	Everspin Technologies Inc
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	内存,NVRAM,Everspin Technologies MR4A08BYS35-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MR4A08BYS35
产品种类	NVRAM
供应商器件封装	44-TSOP2 （10.2x18.4）
其它名称	819-1052 MR4A08BYS35-ND
包装	托盘
商标	Everspin Technologies
存储器类型	MRAM（磁阻 RAM）
存储容量	16M（2M x 8）
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
封装/箱体	TSOP-44
工作温度	0°C ~ 70°C
工作电流	100 mA
工厂包装数量	135
接口	并联
接口类型	Parallel
数据总线宽度	8 bit
最大工作温度	+ 70 C
最小工作温度	0 C
标准包装	135
格式-存储器	RAM
电压-电源	3 V ~ 36 V
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	3 V
系列	MR4A08B
组织	2 M x 8
访问时间	35 ns
速度	35ns