【存储器_MR4A08BCYS35】封装/厂家_MR4A08BCYS35中文资料_价格

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型号： MR4A08BCYS35
制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MR4A08BCYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR4A08BCYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR4A08BCYS35封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM）存储器 IC 16Mb （2M x 8）并联 35ns 44-TSOP2。您可以下载MR4A08BCYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR4A08BCYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Everspin Technologies Inc. 的 MR4A08BCYS35 是一款基于磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的存储器。这款存储器具有非易失性、高速读写和高耐久性的特点，适用于多种需要高性能和数据可靠性的应用场景。

1. 工业自动化：在工业控制系统中，MR4A08BCYS35 可以用于存储关键配置参数和运行数据。由于其非易失性和高耐久性，即使在断电情况下也能确保数据的安全性和完整性，避免系统重启后丢失重要信息。

2. 汽车电子：现代汽车中的电子控制单元（ECU）需要可靠的存储解决方案来保存实时数据和故障日志。MR4A08BCYS35 的快速读写速度和高可靠性使其成为汽车应用的理想选择，特别是在自动驾驶和高级驾驶辅助系统（ADAS）中，确保了系统的稳定性和安全性。

3. 网络通信设备：在网络路由器、交换机和其他通信设备中，MR4A08BCYS35 可以用于存储配置文件、固件更新和临时数据缓存。其高速读写性能可以提高设备的响应速度，同时非易失性特性保证了数据在断电时不会丢失。

4. 数据中心和服务器：在数据中心和服务器环境中，MR4A08BCYS35 可以作为高速缓存或日志存储介质，提升数据处理效率。其高耐久性减少了频繁写入操作对存储器寿命的影响，降低了维护成本。

5. 物联网（IoT）设备：对于低功耗、长寿命的物联网设备，如智能传感器和边缘计算节点，MR4A08BCYS35 提供了一种理想的存储方案。它可以在不依赖电池的情况下保存数据，并且支持频繁的数据写入操作，适合于需要持续监控和记录的应用场景。

总之，Everspin Technologies Inc. 的 MR4A08BCYS35 凭借其独特的技术优势，在多个领域中提供了高效、可靠的数据存储解决方案，满足了不同应用场景对高性能存储的需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)半导体
描述	IC MRAM 16MBIT 35NS 44TSOPNVRAM 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM
产品分类	存储器集成电路 - IC
品牌	Everspin Technologies
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	内存,NVRAM,Everspin Technologies MR4A08BCYS35-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	MR4A08BCYS35
产品种类	NVRAM
供应商器件封装	44-TSOP2 （10.2x18.4）
其它名称	819-1050 MR4A08BCYS35-ND
包装	托盘
商标	Everspin Technologies
存储器类型	MRAM（磁阻 RAM）
存储容量	16 Mbit
安装风格	SMD/SMT
封装	Tray
封装/外壳	44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
封装/箱体	TSOP-44
工作温度	-40°C ~ 85°C
工作电流	100 mA
工厂包装数量	135
接口	并联
接口类型	Parallel
数据总线宽度	8 bit
最大工作温度	+ 85 C
最小工作温度	- 40 C
标准包装	135
格式-存储器	RAM
电压-电源	3 V ~ 36 V
电源电压-最大	3.6 V
电源电压-最小	3 V
系列	MR4A08B
组织	2 M x 8
访问时间	35 ns
速度	35ns

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