Datasheet下载- 型号： MR2A08AMYS35
- 制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MR2A08AMYS35由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR2A08AMYS35价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR2A08AMYS35封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MR2A08AMYS35参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR2A08AMYS35 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 集成电路 (IC)半导体 |
| 描述 | IC MRAM 4MBIT 35NS 44TSOPNVRAM 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM |
| 产品分类 | 存储器集成电路 - IC |
| 品牌 | Everspin Technologies Inc |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 内存,NVRAM,Everspin Technologies MR2A08AMYS35- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MR2A08AMYS35 |
| PCN组件/产地 | |
| 产品种类 | NVRAM |
| 供应商器件封装 | 44-TSOP2 （10.2x18.4） |
| 其它名称 | 819-1026 |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | Everspin Technologies |
| 存储器类型 | MRAM（磁阻 RAM） |
| 存储容量 | 4M （512K x 8） |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tray |
| 封装/外壳 | 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽） |
| 封装/箱体 | TSOP-44 |
| 工作温度 | -40°C ~ 125°C |
| 工作电流 | 50 mA |
| 工厂包装数量 | 135 |
| 接口 | 并联 |
| 接口类型 | Parallel |
| 数据总线宽度 | 8 bit |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 135 |
| 格式-存储器 | RAM |
| 电压-电源 | 3 V ~ 3.6 V |
| 电源电压-最大 | 3.6 V |
| 电源电压-最小 | 3 V |
| 系列 | MR2A08A |
| 组织 | 512 k x 8 |
| 访问时间 | 35 ns |
| 速度 | 35ns |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/4979F-1／2"X36YD.jpg)
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS300 1／2"BL48"BX.jpg)
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