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型号： MR25H40CDCR
制造商： EVERSPIN TECHNOLOGIES
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MR25H40CDCR由EVERSPIN TECHNOLOGIES设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MR25H40CDCR价格参考。EVERSPIN TECHNOLOGIESMR25H40CDCR封装/规格：存储器， MRAM（磁阻式 RAM）存储器 IC 4Mb （512K x 8） SPI 40MHz 8-DFN-EP，大型标志（5x6）。您可以下载MR25H40CDCR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MR25H40CDCR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MR25H40CDCR是一款高性能的金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），属于N沟道增强型器件，广泛应用于各种电力电子设备和电路中。其主要应用场景包括但不限于以下几个方面：

1. 电源管理：MR25H40CDCR常用于开关电源、直流-直流转换器（DC-DC）、逆变器等电源管理系统中。它能够高效地控制电流的通断，降低能量损耗，提高电源转换效率。例如，在笔记本电脑适配器、手机充电器以及工业电源设备中，该MOSFET可以实现快速响应和稳定的电压输出。

2. 电机驱动：在电动工具、家用电器、电动汽车等领域，MR25H40CDCR可用于驱动电机。通过精确控制栅极电压，它可以调节电机的速度和扭矩，确保电机运行平稳且高效。此外，该器件还具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少发热，延长使用寿命。

3. 负载切换：在智能电网、服务器机房等场景下，需要频繁地进行负载切换操作。MR25H40CDCR凭借其快速的开关速度和高可靠性，可以在短时间内完成负载的切换，保证系统的稳定性和安全性。同时，它还可以与其他保护电路配合使用，防止过流、过压等问题发生。

4. 信号处理：尽管主要用于功率应用，但MR25H40CDCR也可用于一些低频信号处理场合。例如，在音频放大器或传感器接口电路中，它可以作为开关元件来隔离不同部分的电路，避免相互干扰。

总之，MR25H40CDCR以其优异的电气特性，在众多领域发挥着重要作用，是现代电子设计中的重要组件之一。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	集成电路 (IC)
描述	IC MRAM 4MBIT 40MHZ 8DFN
产品分类	存储器
品牌	Everspin Technologies Inc
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MR25H40CDCR
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
供应商器件封装	8-DFN-EP，大型标志（5x6）
包装	带卷（TR）
存储器类型	MRAM（磁阻 RAM）
存储容量	4M （512K x 8）
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘
工作温度	-40°C ~ 85°C
接口	SPI 串行
标准包装	4,000
格式-存储器	RAM
电压-电源	3 V ~ 3.6 V
速度	40MHz