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  • 型号: MPSA56ZL1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MPSA56ZL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSA56ZL1G价格参考。ON SemiconductorMPSA56ZL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 50MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载MPSA56ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSA56ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MPSA56ZL1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单。这种类型的晶体管广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高增益、低噪声和高频性能的场合。以下是 MPSA56ZL1G 的一些典型应用场景:

 1. 音频放大器
MPSA56ZL1G 由于其低噪声特性和较高的电流增益(hFE),非常适合用于音频放大器的设计。它可以作为前置放大器或驱动级的一部分,提供稳定的信号放大,同时保持较低的失真率。这使得它在音响设备、耳机放大器等应用中表现出色。

 2. 射频(RF)电路
该晶体管具有良好的高频特性,适用于射频电路中的低噪声放大(LNA)。它可以在无线通信设备、收音机、蓝牙模块等高频电路中发挥作用,确保信号的清晰传输和接收。MPSA56ZL1G 的高频性能使其能够在这些应用中保持较低的噪声系数,从而提高系统的整体性能。

 3. 开关电源
在开关电源设计中,MPSA56ZL1G 可以用作开关元件或驱动级。它的快速开关能力和较高的电流处理能力使其适合用于稳压电源、DC-DC转换器等电路中。通过精确控制电流和电压,它可以有效地提高电源效率并减少能量损耗。

 4. 传感器接口电路
MPSA56ZL1G 还可以用于传感器接口电路中,特别是那些需要高灵敏度和低噪声的应用。例如,在温度传感器、压力传感器或光电传感器的信号调理电路中,它可以作为信号放大部分,将微弱的传感器输出信号放大到可被后续电路处理的水平。

 5. 工业控制与自动化
在工业控制系统中,MPSA56ZL1G 可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它的高可靠性和稳定性使得它在恶劣的工业环境中也能正常工作,确保了系统的稳定运行。此外,它还可以用于模拟信号的放大和处理,帮助实现更精确的控制。

总之,MPSA56ZL1G 凭借其优异的电气特性,广泛应用于音频、射频、电源管理、传感器接口以及工业控制等多个领域,能够满足不同应用场景下的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP GP BIPO LP 80V TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSA56ZL1G-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

MPSA56ZL1G

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

250mV @ 10mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 100mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

TO-92-3

功率-最大值

625mW

包装

带盒(TB)

发射极-基极电压VEBO

4 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

50 MHz

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Ammo Pack

封装/外壳

TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线

封装/箱体

TO-92-3 (TO-226)

工厂包装数量

2000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

625 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.5 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,000

电压-集射极击穿(最大值)

80V

电流-集电极(Ic)(最大值)

500mA

电流-集电极截止(最大值)

100nA

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MPSA56

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

80 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

集电极—射极饱和电压

0.25 V

集电极连续电流

0.5 A

频率-跃迁

50MHz

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