ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 > MPSA56ZL1G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSA56ZL1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSA56ZL1G价格参考。ON SemiconductorMPSA56ZL1G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 80V 500mA 50MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载MPSA56ZL1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSA56ZL1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSA56ZL1G 是由 ON Semiconductor 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 单。这种类型的晶体管广泛应用于各种电子电路中,尤其是在需要高增益、低噪声和高频性能的场合。以下是 MPSA56ZL1G 的一些典型应用场景: 1. 音频放大器 MPSA56ZL1G 由于其低噪声特性和较高的电流增益(hFE),非常适合用于音频放大器的设计。它可以作为前置放大器或驱动级的一部分,提供稳定的信号放大,同时保持较低的失真率。这使得它在音响设备、耳机放大器等应用中表现出色。 2. 射频(RF)电路 该晶体管具有良好的高频特性,适用于射频电路中的低噪声放大(LNA)。它可以在无线通信设备、收音机、蓝牙模块等高频电路中发挥作用,确保信号的清晰传输和接收。MPSA56ZL1G 的高频性能使其能够在这些应用中保持较低的噪声系数,从而提高系统的整体性能。 3. 开关电源 在开关电源设计中,MPSA56ZL1G 可以用作开关元件或驱动级。它的快速开关能力和较高的电流处理能力使其适合用于稳压电源、DC-DC转换器等电路中。通过精确控制电流和电压,它可以有效地提高电源效率并减少能量损耗。 4. 传感器接口电路 MPSA56ZL1G 还可以用于传感器接口电路中,特别是那些需要高灵敏度和低噪声的应用。例如,在温度传感器、压力传感器或光电传感器的信号调理电路中,它可以作为信号放大部分,将微弱的传感器输出信号放大到可被后续电路处理的水平。 5. 工业控制与自动化 在工业控制系统中,MPSA56ZL1G 可以用于驱动继电器、电机或其他执行机构。它的高可靠性和稳定性使得它在恶劣的工业环境中也能正常工作,确保了系统的稳定运行。此外,它还可以用于模拟信号的放大和处理,帮助实现更精确的控制。 总之,MPSA56ZL1G 凭借其优异的电气特性,广泛应用于音频、射频、电源管理、传感器接口以及工业控制等多个领域,能够满足不同应用场景下的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS PNP GP BIPO LP 80V TO-92两极晶体管 - BJT 500mA 80V PNP |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MPSA56ZL1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MPSA56ZL1G |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 250mV @ 10mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 100mA,1V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 带盒(TB) |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 50 MHz |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Ammo Pack |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 |
封装/箱体 | TO-92-3 (TO-226) |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | PNP |
晶体管类型 | PNP |
最大功率耗散 | 625 W |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 80V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | 100nA |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | MPSA56 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.5 A |
频率-跃迁 | 50MHz |