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MPSA06产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MPSA06由Central Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MPSA06价格参考¥0.50-¥0.62。Central SemiconductorMPSA06封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 NPN 80V 500mA 100MHz 625mW 通孔 TO-92-3。您可以下载MPSA06参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MPSA06 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MPSA06 是由 ON Semiconductor 生产的 NPN 型双极晶体管 (BJT),属于单晶体管类别。它具有低噪声、高增益和宽频率响应的特点,广泛应用于各种电子电路中。以下是 MPSA06 的一些典型应用场景: 1. 音频放大器 MPSA06 由于其低噪声特性,常用于音频信号放大的前置级电路中。它可以有效地放大微弱的音频信号,同时保持较低的噪声水平,确保输出音质清晰。例如,在收音机、耳机放大器或音响设备中,MPSA06 可以作为输入级放大器,提升信号强度而不引入过多的背景噪音。 2. 传感器信号调理 在传感器应用中,MPSA06 可以用来放大来自传感器的微弱信号。例如,温度传感器、压力传感器等输出的信号通常非常微弱,MPSA06 可以将这些信号放大到适合后续处理的电平,从而提高系统的灵敏度和精度。 3. 开关电路 MPSA06 还可以用于简单的开关电路中。通过控制基极电流,MPSA06 可以在饱和区和截止区之间切换,实现对负载的通断控制。例如,在继电器驱动、LED 驱动等应用中,MPSA06 可以作为开关元件,控制外部设备的工作状态。 4. 电源管理 在某些低功耗电源管理电路中,MPSA06 可以用作线性稳压器的调整管。通过与负反馈电路配合,MPSA06 可以稳定输出电压,确保负载获得稳定的电源供应。此外,它还可以用于电流源电路中,提供恒定的电流输出。 5. 通信设备 MPSA06 的宽频率响应使其适用于高频信号处理。在通信设备中,它可以用于射频 (RF) 信号的放大和调制解调电路中,帮助提升信号的传输质量。例如,在无线发射器或接收器中,MPSA06 可以作为信号放大部分,增强信号强度并减少失真。 总的来说,MPSA06 凭借其低噪声、高增益和宽频率响应的特点,广泛应用于音频、传感器、开关、电源管理和通信等领域,是一款性能优异的通用型双极晶体管。
参数 | 数值 |
品牌 | Central Semiconductor |
产品目录 | 半导体 |
描述 | 两极晶体管 - BJT Med Power |
产品分类 | 分离式半导体 |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Central Semiconductor MPSA06 |
产品型号 | MPSA06 |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Central Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
系列 | MPSA06 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 80 V |
集电极—基极电压VCBO | 80 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.25 V |
集电极连续电流 | 0.45 A |
MPSA05 MPSA06 NPN MPSA55 MPSA56 PNP www.centralsemi.com COMPLEMENTARY DESCRIPTION: SILICON TRANSISTORS The CENTRAL SEMICONDUCTOR MPSA05, MPSA55 series devices are complementary silicon transistors designed for low power output and medium power driver applications. MARKING: FULL PART NUMBER TO-92 CASE MPSA05 MPSA06 MAXIMUM RATINGS: (TA=25°C) SYMBOL MPSA55 MPSA56 UNITS Collector-Base Voltage VCBO 60 80 V Collector-Emitter Voltage VCEO 60 80 V Emitter-Base Voltage VEBO 4.0 V Continuous Collector Current IC 500 mA Power Dissipation PD 625 mW Power Dissipation (TC=25°C) PD 1.5 W Operating and Storage Junction Temperature TJ, Tstg -65 to +150 °C Thermal Resistance ΘJA 200 °C/W Thermal Resistance JC 83.3 °C/W ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (TA=25°C) SYMBOL TEST CONDITIONS MIN MAX UNITS ICBO VCB=Rated VCBO 100 nA ICES VCE=60V 100 nA BVCEO IC=1.0mA (MPSA05, 55) 60 V BVCEO IC=1.0mA (MPSA06, 56) 80 V BVEBO IE=100μA 4.0 V VCE(SAT) IC=100mA, IB=10mA 0.25 V VBE(ON) VCE=1.0V, IC=100mA 1.2 V hFE VCE=1.0V, IC=10mA 100 hFE VCE=1.0V, IC=100mA 100 fT VCE=2.0V, IC=10mA, f=100MHz (NPN) 100 MHz fT VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz (PNP) 50 MHz R9 (21-June 2019)
MPSA05 MPSA06 NPN MPSA55 MPSA56 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS TO-92 CASE - MECHANICAL OUTLINE LEAD CODE: 1) Emitter 2) Base 3) Collector MARKING: FULL PART NUMBER TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R9 (21-June 2019) www.centralsemi.com
MPSA05 MPSA06 NPN MPSA55 MPSA56 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS NPN TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R9 (21-June 2019) www.centralsemi.com
MPSA05 MPSA06 NPN MPSA55 MPSA56 PNP COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS PNP TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS R9 (21-June 2019) www.centralsemi.com
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