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产品简介:
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参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANSISTOR NPN GEN PURP TO-92两极晶体管 - BJT NPN Transistor Medium Power |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Fairchild Semiconductor MPS6513- |
数据手册 | |
产品型号 | MPS6513 |
PCN过时产品 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 90 @ 2mA,10V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | TO-92-3 |
功率-最大值 | 625mW |
包装 | 散装 |
单位重量 | 201 mg |
发射极-基极电压VEBO | 4 V |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Bulk |
封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
封装/箱体 | TO-92 |
工厂包装数量 | 2000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | NPN |
最大功率耗散 | 625 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.2 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 2,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 30V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 200mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 180 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 90 |
系列 | MPS6513 |
配置 | Single |
集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V |
集电极—基极电压VCBO | 40 V |
集电极连续电流 | 0.45 A |
频率-跃迁 | - |