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Datasheet下载- 型号： MMZ25332BT1
- 制造商： Freescale Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMZ25332BT1由Freescale Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMZ25332BT1价格参考。Freescale SemiconductorMMZ25332BT1封装/规格：RF 放大器， 射频放大器 IC LTE，TDS-CDMA，W-CDMA 1.8GHz ~ 2.8GHz 12-QFN（3x3）。您可以下载MMZ25332BT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMZ25332BT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 射频/IF 和 RFID半导体 |
| 描述 | IC AMP HBT INGAP 12QFN射频放大器 31DBM GAAS AMP |
| 产品分类 | RF 放大器RF集成电路 |
| 品牌 | Freescale Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 射频放大器,Freescale Semiconductor MMZ25332BT1- |
| 数据手册 | |
| P1dB | 33 dBm |
| 产品型号 | MMZ25332BT1 |
| RF类型 | LTE，TDS-CDMA，W-CDMA |
| 产品 | RF JFET |
| 产品种类 | 射频放大器 |
| 供应商器件封装 | 12-QFN（3x3） |
| 功率增益类型 | 26.5 dB |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 单位重量 | 22 mg |
| 商标 | Freescale Semiconductor |
| 噪声系数 | 5.8 dB |
| 增益 | 26.5dB |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 12-VFQFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | QFN-EP-12 |
| 工作电源电压 | 5 V |
| 工作频率 | 2500 MHz |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 技术 | GaAs |
| 放大器类型 | RF Amplifier |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 测试频率 | 2.5GHz |
| 电压-电源 | 3 V ~ 5 V |
| 电流-电源 | 390mA |
| 电源电流 | 390 mA |
| 类型 | GaAs |
| 系列 | MMZ25332B |
| 输入返回损失 | - 17 dB |
| 输出截获点 | 48 dBm |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 频率 | 1.8GHz ~ 2.8GHz |
| 频率范围 | 1500 MHz to 2800 MHz |
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