【晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置_MMUN2241LT1G】封装/厂家_MMUN2241LT1G中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > MMUN2241LT1G

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： MMUN2241LT1G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2241LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2241LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2241LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2241LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2241LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMUN2241LT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的预偏置单双极晶体管（BJT）。该器件具有低饱和电压和高电流增益的特点，适用于多种应用场景。以下是其主要应用场景的详细介绍：

 1. 电源管理
   MMUN2241LT1G 可用于电源管理电路中，特别是在需要高效开关或线性调节的场合。由于其低饱和电压特性，能够在开关模式电源（SMPS）或线性稳压器中提供高效的电流控制，减少功率损耗，提升整体能效。

 2. 信号放大
   该晶体管适合用于模拟信号放大电路，尤其是在音频设备、传感器信号调理等应用中。其高电流增益特性能够确保信号在放大过程中保持良好的线性度，减少失真，适用于前置放大器、音频功放等场景。

 3. 电机驱动
   在小型电机驱动应用中，MMUN2241LT1G 可以作为驱动晶体管，控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关特性和低饱和电压有助于提高电机驱动的效率，同时减少发热，延长使用寿命。

 4. 保护电路
   该器件还可以用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流变化并迅速响应，可以在异常情况下切断电路，保护其他敏感元件免受损坏。其预偏置特性使得它在这些保护电路中能够更稳定地工作。

 5. 消费电子
   在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑、智能家居设备等，MMUN2241LT1G 可用于电池充电管理、背光驱动、按键检测等电路中。其小封装和低功耗特性使其非常适合便携式设备的应用。

 6. 工业自动化
   在工业自动化领域，该晶体管可用于传感器接口、执行器驱动等场合。其高可靠性和稳定性使得它能够在恶劣的工业环境中长时间稳定工作，确保系统的正常运行。

总之，MMUN2241LT1G 凭借其优异的电气性能和广泛的适用性，成为许多电子系统中的关键组件，尤其适用于对效率、可靠性和稳定性要求较高的应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
产品分类	晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	MMUN2241LT1G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	250mV @ 5mA，10mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	160 @ 5mA，10V
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
其它名称	MMUN2241LT1GOS
功率-最大值	246mW
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
晶体管类型	NPN - 预偏压
标准包装	3,000
电压-集射极击穿（最大值）	50V
电流-集电极(Ic)（最大值）	100mA
电流-集电极截止（最大值）	500nA
电阻器-发射极基底(R2)(Ω)	-
电阻器-基底(R1)(Ω)	100k
频率-跃迁	-