ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > MMUN2235LT1G
Datasheet下载- 型号： MMUN2235LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2235LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2235LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2235LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2235LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2235LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMUN2235LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的预偏置双极型晶体管（BJT），属于单通道晶体管。该型号的应用场景主要集中在需要高效开关和信号放大的电路中，其典型应用场景包括： 1. 电源管理： MMUN2235LT1G 可用于各种电源管理电路，例如低压降稳压器（LDO）、DC-DC 转换器中的驱动晶体管或保护电路中的开关元件。其预偏置特性使其在这些应用中能够更稳定地工作。 2. 信号放大： 该晶体管适用于音频信号放大器、射频（RF）信号放大器等场景。其高性能的增益特性和低噪声设计使得它成为小信号放大的理想选择。 3. 开关电路： 在需要高速开关的场合，如继电器驱动、LED 驱动或小型电机控制中，MMUN2235LT1G 的快速开关能力和可靠性使其成为理想的开关元件。 4. 通信设备： 由于其高频性能和稳定性，该晶体管常用于通信设备中的信号调制与解调电路，以及数据传输中的驱动电路。 5. 消费电子： 在家用电子产品中，如遥控器、传感器模块和智能家居设备中，该晶体管可用于信号处理和控制功能。 6. 工业自动化： 在工业控制领域，MMUN2235LT1G 可用于传感器接口、信号调理电路以及简单的逻辑控制电路中。 总之，MMUN2235LT1G 凭借其预偏置设计、高增益和稳定的性能，在需要精确控制和高效放大的各种电子系统中具有广泛的应用价值。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS BRT PNP 50V SOT-23 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | MMUN2235LT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 2.2k |
| 频率-跃迁 | - |
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