ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > MMUN2133LT1G
Datasheet下载- 型号： MMUN2133LT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2133LT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2133LT1G价格参考。ON SemiconductorMMUN2133LT1G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2133LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2133LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor的MMUN2133LT1G是一款预偏置的双极晶体管（BJT），属于单晶体管类型。它具有多种应用场景，特别是在需要高可靠性和精确控制电流的电路中。 应用场景 1. 电源管理： - 该晶体管常用于电源管理系统中，例如线性稳压器、开关电源等。其预偏置特性使得它在启动和关闭时更加稳定，减少了瞬态响应时间，提高了电源效率。 2. 音频放大器： - 在音频设备中，MMUN2133LT1G可以作为音频信号放大的关键元件。由于其低噪声特性和良好的线性度，能够提供高质量的音频输出，适用于耳机放大器、音响系统等。 3. 工业控制： - 在工业自动化和控制系统中，这款晶体管可用于驱动继电器、电机控制器等。其预偏置设计有助于提高系统的响应速度和稳定性，确保工业设备的高效运行。 4. 通信设备： - 在通信领域，如基站、路由器等设备中，MMUN2133LT1G可以用于信号放大和调制解调电路。它的高频性能和低功耗特性使其成为通信模块中的理想选择。 5. 消费电子产品： - 该晶体管也广泛应用于各种消费电子产品中，如智能手机、平板电脑等。它可以用于电池管理、背光驱动等功能模块，帮助提升产品的整体性能和用户体验。 6. 汽车电子： - 在汽车电子系统中，MMUN2133LT1G可用于车载音响、传感器接口、车身控制模块等。其高温稳定性和抗干扰能力使得它在恶劣的汽车环境中依然保持可靠的性能。 7. 医疗设备： - 在医疗仪器中，如心电图机、超声波设备等，该晶体管可以用于信号处理和放大电路。其高精度和稳定性对于确保医疗数据的准确性至关重要。 总结 MMUN2133LT1G凭借其预偏置设计、低噪声、高频率响应等优点，广泛应用于电源管理、音频放大、工业控制、通信设备、消费电子、汽车电子以及医疗设备等多个领域。它为这些应用提供了稳定、高效且可靠的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2133LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2133LT1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 80 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2133LT1G-ND |
| 典型电阻器比率 | 0.1 |
| 典型输入电阻器 | 4.7 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 47k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 4.7k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 80 |
| 系列 | MMUN2133L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
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