ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置 > MMUN2111LT3G
Datasheet下载- 型号： MMUN2111LT3G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMUN2111LT3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMUN2111LT3G价格参考。ON SemiconductorMMUN2111LT3G封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置， Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)。您可以下载MMUN2111LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMUN2111LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的MMUN2111LT3G是一款预偏置的双极性晶体管（BJT），属于单晶体管类别。这种器件具有特定的应用场景，主要包括以下几个方面： 1. 信号放大 MMUN2111LT3G可以用于音频、射频（RF）和其他信号放大的应用中。由于其预偏置特性，它能够稳定地工作在所需的放大区域，适合处理低功率信号放大任务。 2. 开关电路 该晶体管可以用作电子开关，广泛应用于数字逻辑电路、继电器驱动、LED驱动等领域。预偏置设计使其更容易实现稳定的开关功能，确保快速且可靠的导通和关断。 3. 电源管理 在小型电源管理模块中，MMUN2111LT3G可用于电流控制、电压调节或负载切换等任务。例如，在电池供电设备中，它可以作为电流限制元件或保护电路的一部分。 4. 传感器接口 该晶体管适用于与各种传感器配合使用，如温度传感器、光敏电阻等。通过放大传感器输出的小信号，可以使后续电路更准确地处理数据。 5. 通信设备 在某些低频或中频通信设备中，MMUN2111LT3G可以用作调制解调器中的信号处理元件，或者作为无线发射/接收模块中的增益级。 6. 消费电子产品 此类晶体管常用于便携式消费电子产品中，例如遥控器、玩具、智能家居设备等，提供基本的信号处理和驱动功能。 总结 MMUN2111LT3G凭借其预偏置特性和稳定的性能，非常适合需要简单、可靠解决方案的应用场合。它在小信号放大、开关控制以及基础电源管理等方面表现出色，是许多低成本、高性能设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3开关晶体管 - 偏压电阻器 100mA 50V BRT PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,开关晶体管 - 偏压电阻器,ON Semiconductor MMUN2111LT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMUN2111LT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 300µA， 10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 35 @ 5mA，10V |
| 产品种类 | 开关晶体管 - 偏压电阻器 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | MMUN2111LT3GOSDKR |
| 典型电阻器比率 | 1 |
| 典型输入电阻器 | 10 kOhms |
| 功率-最大值 | 246mW |
| 功率耗散 | 246 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 峰值直流集电极电流 | 100 mA |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP - 预偏压 |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 500nA |
| 电阻器-发射极基底(R2)(Ω) | 10k |
| 电阻器-基底(R1)(Ω) | 10k |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | MMUN2111L |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极连续电流 | 0.1 A |
| 频率-跃迁 | - |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS200 11／2" BL48"BX.jpg)
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