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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ8V2T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ8V2T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ8V2T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ8V2T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ8V2T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ8V2T1G是由ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单个齐纳二极管,其主要应用场景包括电压调节、稳压电路、过压保护和信号电平转换等。 1. 电压调节与稳压电路 MMSZ8V2T1G的齐纳电压为8.2V,适用于需要精确电压参考点的应用。例如,在电源电路中,它可以用作稳压元件,确保输出电压稳定在8.2V左右。通过与电阻串联,它可以将输入电压转换为稳定的输出电压,广泛应用于低功耗设备、传感器模块和小型电子设备中。 2. 过压保护 该二极管还常用于过压保护电路中。当电路中的电压超过8.2V时,齐纳二极管会导通,将多余的电压分流到地,从而保护下游电路免受高电压的损害。这种应用常见于通信设备、工业控制系统和消费电子产品中,尤其是在电源输入端或敏感信号线路上。 3. 信号电平转换 在模拟和数字电路之间进行信号电平转换时,MMSZ8V2T1G可以起到关键作用。例如,在某些接口电路中,信号电平可能需要从较高的电压转换为较低的电压,或者反之。齐纳二极管可以通过钳位作用,确保信号电平保持在安全范围内,防止信号失真或损坏后续电路。 4. 温度补偿电路 由于齐纳二极管的齐纳电压会随温度变化而略有波动,MMSZ8V2T1G也可以用于温度补偿电路中。通过合理设计电路,可以利用其温度特性来抵消其他元件的温度漂移,从而提高整个系统的稳定性。 5. 基准电压源 在一些精密测量设备或数据采集系统中,MMSZ8V2T1G可以作为基准电压源,提供稳定的参考电压。这对于需要高精度电压测量的应用非常重要,如医疗设备、测试仪器等。 总之,MMSZ8V2T1G凭借其稳定的齐纳电压和良好的性能,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要精确电压控制和保护的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 8.2V 500MW SOD123稳压二极管 8.2V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ8V2T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ8V2T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 700nA @ 5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ8V2T1GOS |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 700 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 8.2V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ8V2 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 8.2 V |
齐纳电流 | 10 mA |