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MMSZ6V8T1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ6V8T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ6V8T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ6V8T1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 6.8V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ6V8T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ6V8T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ6V8T1G 是由 ON Semiconductor 生产的单个齐纳二极管,具有 6.8V 的齐纳电压。它属于小信号齐纳二极管,主要用于稳压、参考电压和过压保护等应用场景。 应用场景: 1. 稳压电路: MMSZ6V8T1G 可用于简单的直流电源稳压电路中,确保输出电压稳定在 6.8V 左右。它可以在低功耗设备中提供稳定的参考电压,适用于传感器、微控制器和其他需要精确电压源的场合。 2. 参考电压: 由于其稳定的齐纳电压特性,MMSZ6V8T1G 可以作为精密参考电压源,用于模拟电路中的比较器、ADC/DAC 等设备的基准电压输入。它能够提供高精度的电压参考,确保电路工作在预期的范围内。 3. 过压保护: 在电源输入或信号线路上,MMSZ6V8T1G 可以用作过压保护元件。当输入电压超过 6.8V 时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护下游电路免受过压损坏。这种应用常见于通信接口、传感器输入端等。 4. 浪涌抑制: 在瞬态电压抑制(TVS)电路中,MMSZ6V8T1G 可以快速响应瞬态电压波动,防止短时间内的高压冲击对敏感电子元件造成损害。例如,在汽车电子、工业控制等领域,它可以有效抑制由开关操作或其他干扰引起的电压尖峰。 5. 温度补偿: MMSZ6V8T1G 还可以与其他温度敏感元件配合使用,进行温度补偿。通过合理设计电路,利用齐纳二极管的温度系数特性,可以在一定温度范围内保持电压的稳定性。 总结: MMSZ6V8T1G 齐纳二极管以其小巧、高效、稳定的特性,广泛应用于各种电子设备中,特别是在需要稳压、参考电压和过压保护的场合。它不仅适合消费类电子产品,还适用于工业、汽车和通信领域,提供了可靠且经济的解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123稳压二极管 6.8V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ6V8T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ6V8T1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 4V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ6V8T1GOSDKR |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 15 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 6.8V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ6V8 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 15 欧姆 |
齐纳电压 | 6.8 V |
齐纳电流 | 10 mA |