Datasheet下载- 型号： MMSZ6V2T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ6V2T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ6V2T1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ6V2T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMSZ6V2T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ6V2T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ6V2T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单齐纳二极管，属于 MMSZ 系列的玻璃封装齐纳二极管。其额定齐纳电压为 6.2V，广泛应用于需要精确电压参考和保护功能的电路中。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电压稳压 - MMSZ6V2T1G 可用于简单的电压稳压电路中，为低功率电路提供稳定的参考电压。例如，在电源电路中，它可以帮助将输出电压稳定在 6.2V 左右。 - 常见应用包括小型电子设备、传感器模块或信号调理电路中的电压调节。 2. 过压保护 - 在电路中，MMSZ6V2T1G 可以用来保护敏感元件免受过高电压的影响。当输入电压超过齐纳电压时，齐纳二极管会导通并将电压钳位到 6.2V。 - 适用于 USB 接口、通信端口或其他易受瞬态电压冲击的接口电路。 3. 信号电平转换 - 齐纳二极管可以用于信号电平的调整和限制。例如，在音频或射频电路中，MMSZ6V2T1G 可以帮助将输入信号限制在安全范围内，防止过载损坏后续电路。 4. 参考电压源 - 在模拟电路设计中，MMSZ6V2T1G 可作为基准电压源使用，为比较器、运算放大器或其他模拟电路提供稳定的参考电压。 - 例如，在电池监测电路中，它可以用来检测电池电压是否低于或高于某个阈值。 5. 浪涌保护 - MMSZ6V2T1G 能够吸收短暂的高电压脉冲，从而保护后级电路。这种特性使其适合用于汽车电子、工业控制设备或家用电器中的浪涌抑制。 6. 温度补偿电路 - 由于齐纳二极管的电压特性可能受到温度影响，MMSZ6V2T1G 可与其他温度敏感元件结合使用，设计出具有温度补偿功能的精密电路。 注意事项： - 使用时需确保工作电流在额定范围内（通常为几毫安至几十毫安），以避免过热或性能下降。 - 在高频或高速应用中，需注意齐纳二极管的动态特性，如电容和响应时间。 总之，MMSZ6V2T1G 凭借其小巧的封装和稳定的性能，成为许多低功率电子电路中不可或缺的元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD123稳压二极管 6.2V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ6V2T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ6V2T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 4V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ6V2T1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 3 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 6.2V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ6V2 |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 10 欧姆 |
| 齐纳电压 | 6.2 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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