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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5272BT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5272BT3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5272BT3G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 110V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5272BT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5272BT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5272BT3G 是由 ON Semiconductor 生产的单齐纳二极管,广泛应用于各种电路保护和电压稳压场景。该型号属于低功率齐纳二极管,具有稳定的击穿电压和较低的动态电阻,适用于需要精确电压参考或过压保护的应用。 应用场景: 1. 电压稳压: MMSZ5272BT3G 可以作为电压基准源,用于稳定电源电压。它能够在输入电压波动的情况下保持输出电压的稳定,适用于对电压精度要求较高的场合,如精密测量仪器、传感器接口等。 2. 过压保护: 在电路中,MMSZ5272BT3G 可以用于防止瞬态过压损坏敏感元件。例如,在通信设备、消费电子产品的电源输入端,它可以快速响应并钳位过高的电压,保护后级电路免受损害。 3. 电源监控: 该齐纳二极管可以用于监测电源电压是否在安全范围内。当电源电压超过设定值时,齐纳二极管导通,触发报警或采取保护措施,确保系统的可靠性。 4. 信号电平转换: 在模拟电路中,MMSZ5272BT3G 可以用于将信号电平限制在一个特定范围内,防止信号超出允许的最大值。这对于音频处理、射频电路等应用场景非常重要。 5. 温度补偿: 齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有改变。MMSZ5272BT3G 具有良好的温度特性,可以在某些需要温度补偿的电路中使用,如温度传感器、热敏电阻等应用中提供更稳定的电压参考。 6. 电池管理系统: 在电池管理系统(BMS)中,MMSZ5272BT3G 可以用于监控电池电压,确保电池在充电和放电过程中不会出现过充或过放的情况,从而延长电池寿命。 总之,MMSZ5272BT3G 由于其稳定性和可靠性,适用于多种需要电压稳压、过压保护和信号处理的电子电路中,特别适合于对精度和可靠性要求较高的工业、汽车和消费类电子产品。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 110V 500MW SOD123稳压二极管 110V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5272BT3G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5272BT3G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 84V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5272BT3GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 750 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 110V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ52 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 750 欧姆 |
齐纳电压 | 110 V |
齐纳电流 | 10 mA |