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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5259BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5259BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5259BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 39V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5259BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5259BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5259BT1G是ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款单齐纳二极管,主要应用场景包括电压稳压、过压保护和参考电压等。以下是该型号的具体应用场景: 1. 电压稳压 MMSZ5259BT1G的齐纳击穿电压为5.6V,适用于需要稳定5.6V电压的电路中。例如,在电源电路中,它可以用作稳压元件,确保输出电压保持在5.6V左右,防止因输入电压波动而导致负载设备损坏或性能不稳定。 2. 过压保护 该二极管可以用于保护敏感电子元件免受过压损害。当电路中的电压超过5.6V时,MMSZ5259BT1G会导通并分流多余的能量,从而保护后续电路不受高电压的影响。这种应用常见于传感器、通信接口和其他对电压敏感的设备中。 3. 参考电压源 MMSZ5259BT1G可以作为精密参考电压源使用,特别是在需要精确电压基准的电路中。例如,在模拟电路、A/D转换器或D/A转换器中,它可以提供稳定的参考电压,确保信号处理的准确性。 4. 浪涌吸收 在电力线或其他容易产生瞬态电压的环境中,MMSZ5259BT1G可以用于吸收瞬时电压浪涌,防止这些浪涌对电路造成损害。例如,在开关电源、电机驱动器等应用中,它可以有效地抑制电压尖峰。 5. 温度补偿电路 由于齐纳二极管的击穿电压会随温度变化而略有不同,MMSZ5259BT1G可以在温度补偿电路中与其他元件配合使用,以减小温度对电路性能的影响。这在高精度测量设备和环境监测系统中尤为重要。 6. 音频电路 在音频放大器等电路中,MMSZ5259BT1G可以用作限幅器,防止音频信号过大导致失真或损坏扬声器等元件。它还可以用于直流偏置调整,确保放大器工作在最佳状态。 总之,MMSZ5259BT1G是一款适用于多种应用场景的齐纳二极管,凭借其稳定的击穿电压和良好的性能,广泛应用于电源管理、保护电路、参考电压源等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 39V 500MW SOD123稳压二极管 39V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5259BT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5259BT1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 30V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5259BT1GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 80 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ5221BT1 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |
齐纳电压 | 39 V |
齐纳电流 | 10 mA |