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MMSZ5251BT1G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5251BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5251BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5251BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 22V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5251BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5251BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5251BT1G 是由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。其主要应用场景包括: 1. 电压稳压: MMSZ5251BT1G 的齐纳击穿电压为 6.8V,适用于需要稳定电压的电路中,例如电源稳压、参考电压生成等。它能够将输出电压维持在一个恒定值,即使输入电压或负载电流发生变化。 2. 过压保护: 在电子设备中,该齐纳二极管可以用于保护敏感元件免受过高电压的影响。例如,在信号输入端口或电源输入端使用 MMSZ5251BT1G,可以有效钳位电压,防止损坏后级电路。 3. 信号电平调整: 该器件可用于音频、视频或其他信号处理电路中,将信号电平限制在特定范围内,以确保信号质量并避免失真。 4. 温度补偿电路: MMSZ5251BT1G 具有较低的温度系数,适合用于对温度变化敏感的电路中,提供更稳定的性能。 5. 开关电源和线性电源中的辅助电路: 在电源设计中,齐纳二极管常被用作反馈网络的一部分,帮助调节输出电压或实现精确的控制功能。 6. ESD(静电放电)保护: 由于其快速响应特性,MMSZ5251BT1G 可以在某些应用中充当简单的 ESD 保护元件,吸收瞬时高电压脉冲。 7. 电池管理系统(BMS): 在电池监控和保护电路中,齐纳二极管可用于检测电池电压是否超出安全范围,并触发相应的保护机制。 总结来说,MMSZ5251BT1G 凭借其高精度、低功率消耗和可靠性,广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域,为各种电路提供电压调节、保护和信号处理功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | DIODE ZENER 22V 500MW SOD123稳压二极管 22V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5251BT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5251BT1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 17V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5251BT1GOS |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 100 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 29 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 22V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ52 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 29 欧姆 |
齐纳电压 | 22 V |
齐纳电流 | 10 mA |