ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MMSZ5245ET1G
Datasheet下载- 型号： MMSZ5245ET1G
- 制造商： ON Semiconductor
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5245ET1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5245ET1G价格参考￥0.31-￥0.31。ON SemiconductorMMSZ5245ET1G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 15V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5245ET1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ5245ET1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5245ET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单齐纳二极管，属于 MMSZ 系列。其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 - MMSZ5245ET1G 的齐纳电压为 6.8V（典型值），适用于低电压稳压电路。它可以在电源输出中提供稳定的参考电压，确保后端电路在一定范围内不受输入电压波动的影响。 - 常用于小型电子设备中的电压调节，例如传感器模块、信号调理电路等。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以限制电路中的瞬态高电压，防止敏感元件因过压而损坏。例如，在电源输入端或信号线上使用，以保护后续电路免受电涌冲击。 - 在 USB 接口、音频输入/输出端口等场景中，可用作过压保护器件。 3. 基准电压源 - MMSZ5245ET1G 可作为精确的基准电压源，用于模拟电路和数字电路中的参考电压生成。例如，在比较器电路中提供稳定的比较电压。 - 其低动态阻抗特性使其适合需要高精度电压的应用。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于将信号电压限制在特定范围内。例如，在音频放大器或射频电路中，防止信号幅度过大导致失真或损坏。 5. 电源监控 - 在电池供电设备中，MMSZ5245ET1G 可用于监测电池电压，当电压低于或高于设定值时触发报警或保护机制。 特性总结： - 齐纳电压：6.8V（±5%） - 功率耗散：约 500mW - 封装形式：SOD-323（表面贴装） - 工作温度范围：-55°C 至 +175°C 由于其紧凑的封装和高可靠性，MMSZ5245ET1G 广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 15V 500MW SOD123稳压二极管 15V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5245ET1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMSZ5245ET1G |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 11V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | MMSZ5245ET1GOSDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 16 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 15V |
| 电压容差 | 5 % |
| 系列 | MMSZ5245E |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 16 欧姆 |
| 齐纳电压 | 15 V |
| 齐纳电流 | 10 mA |
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