ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MMSZ5241BT1G
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5241BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5241BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5241BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5241BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5241BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ5241BT1G是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单个齐纳二极管,具有多种应用场景。这款齐纳二极管主要用于电压稳压、过压保护和参考电压电路中。 1. 电压稳压 MMSZ5241BT1G的齐纳击穿电压为4.7V,适用于需要稳定电压输出的电路。例如,在电源电路中,它可以与负载并联,确保负载两端的电压保持在4.7V左右。当输入电压波动时,齐纳二极管通过调节自身电流来维持输出电压的稳定性,从而保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护 该二极管还可以用于防止瞬态过压对敏感电子元件造成损害。例如,在信号传输线或电源输入端口处,MMSZ5241BT1G可以钳位瞬态高压,将其限制在安全范围内,从而保护后续电路不受损坏。这种应用常见于通信设备、传感器接口和消费电子产品中。 3. 参考电压源 MMSZ5241BT1G可以用作精密参考电压源,尤其是在模拟电路设计中。由于其击穿电压较为稳定,可以在需要高精度电压参考的应用中使用,如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)以及电压比较器等电路中。 4. 温度补偿 齐纳二极管的温度系数会影响其性能,而MMSZ5241BT1G具有较好的温度特性,适合用于需要温度补偿的场合。例如,在一些精密测量仪器中,它可以帮助抵消温度变化对电路性能的影响,确保系统在不同环境温度下的稳定工作。 5. 浪涌抑制 MMSZ5241BT1G还可以用于抑制电源或信号线上的浪涌电压。当电路中出现短暂的高压脉冲时,齐纳二极管能够迅速响应并钳位电压,避免浪涌对其他元件造成损害。这种应用常见于工业控制系统、汽车电子和家用电器中。 总的来说,MMSZ5241BT1G是一款性能可靠、应用广泛的齐纳二极管,能够在多种电路中提供稳定的电压参考、过压保护和浪涌抑制功能。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 11V 500MW SOD123稳压二极管 11V 500mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5241BT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | MMSZ5241BT1G |
PCN组件/产地 | |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 2µA @ 8.4V |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOD-123 |
其它名称 | MMSZ5241BT1GOSCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOD-123 |
封装/箱体 | SOD-123 |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 2 uA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 22 Ohms |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
电压容差 | 5 % |
系列 | MMSZ52 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 22 欧姆 |
齐纳电压 | 11 V |
齐纳电流 | 10 mA |