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  • 型号: MMSZ5241BT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ5241BT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ5241BT1G价格参考。ON SemiconductorMMSZ5241BT1G封装/规格:二极管 - 齐纳 - 单, Zener Diode 11V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ5241BT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMSZ5241BT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMSZ5241BT1G是ON Semiconductor(现为安森美半导体)生产的单个齐纳二极管,具有多种应用场景。这款齐纳二极管主要用于电压稳压、过压保护和参考电压电路中。

 1. 电压稳压
MMSZ5241BT1G的齐纳击穿电压为4.7V,适用于需要稳定电压输出的电路。例如,在电源电路中,它可以与负载并联,确保负载两端的电压保持在4.7V左右。当输入电压波动时,齐纳二极管通过调节自身电流来维持输出电压的稳定性,从而保护后级电路免受电压波动的影响。

 2. 过压保护
该二极管还可以用于防止瞬态过压对敏感电子元件造成损害。例如,在信号传输线或电源输入端口处,MMSZ5241BT1G可以钳位瞬态高压,将其限制在安全范围内,从而保护后续电路不受损坏。这种应用常见于通信设备、传感器接口和消费电子产品中。

 3. 参考电压源
MMSZ5241BT1G可以用作精密参考电压源,尤其是在模拟电路设计中。由于其击穿电压较为稳定,可以在需要高精度电压参考的应用中使用,如模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)以及电压比较器等电路中。

 4. 温度补偿
齐纳二极管的温度系数会影响其性能,而MMSZ5241BT1G具有较好的温度特性,适合用于需要温度补偿的场合。例如,在一些精密测量仪器中,它可以帮助抵消温度变化对电路性能的影响,确保系统在不同环境温度下的稳定工作。

 5. 浪涌抑制
MMSZ5241BT1G还可以用于抑制电源或信号线上的浪涌电压。当电路中出现短暂的高压脉冲时,齐纳二极管能够迅速响应并钳位电压,避免浪涌对其他元件造成损害。这种应用常见于工业控制系统、汽车电子和家用电器中。

总的来说,MMSZ5241BT1G是一款性能可靠、应用广泛的齐纳二极管,能够在多种电路中提供稳定的电压参考、过压保护和浪涌抑制功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 11V 500MW SOD123稳压二极管 11V 500mW

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor MMSZ5241BT1G-

数据手册

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产品型号

MMSZ5241BT1G

PCN组件/产地

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PCN设计/规格

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2µA @ 8.4V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123

其它名称

MMSZ5241BT1GOSCT

功率-最大值

500mW

功率耗散

500 mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123

封装/箱体

SOD-123

工作温度

-55°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

2 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

22 Ohms

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-齐纳(标称值)(Vz)

11V

电压容差

5 %

系列

MMSZ52

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

22 欧姆

齐纳电压

11 V

齐纳电流

10 mA

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