ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > MMSZ4V7T3G
Datasheet下载- 型号： MMSZ4V7T3G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMSZ4V7T3G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMSZ4V7T3G价格参考。ON SemiconductorMMSZ4V7T3G封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123。您可以下载MMSZ4V7T3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMSZ4V7T3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMSZ4V7T3G 是一款由 ON Semiconductor 生产的单个齐纳二极管，其主要应用场景如下： 1. 电压稳压 MMSZ4V7T3G 的典型应用是作为电压稳压元件。它可以在电路中提供稳定的参考电压，确保其他元件在特定电压范围内正常工作。例如，在电源电路中，它可以用于稳定输出电压，防止因输入电压波动而导致的系统不稳定。 2. 过压保护 该齐纳二极管可以用于保护敏感电子设备免受过压损坏。当电路中的电压超过设定值时，MMSZ4V7T3G 会导通，将多余的电压泄放到地，从而保护后级电路不受损害。这种特性常用于传感器、微控制器等对电压敏感的器件中。 3. 信号电平转换 在某些通信或信号处理电路中，MMSZ4V7T3G 可以用于信号电平的转换。例如，当需要将一个较高的输入信号电平转换为较低的输出电平时，齐纳二极管可以通过钳位作用实现这一功能。 4. 温度补偿电路 由于齐纳二极管的反向击穿电压与温度有一定的关系，MMSZ4V7T3G 可以用于温度补偿电路中。通过合理设计，它可以抵消其他元件随温度变化带来的误差，保持系统的稳定性。 5. 浪涌吸收 在电力线或其他易受瞬态电压影响的环境中，MMSZ4V7T3G 可以用于吸收瞬时浪涌电压。它能够快速响应并导通，将浪涌能量释放到安全路径，从而保护整个电路不受瞬时高压的影响。 6. 基准电压源 MMSZ4V7T3G 还可以用作精密基准电压源。它的击穿电压非常稳定，适合用于需要高精度电压参考的应用，如模拟电路中的比较器、ADC（模数转换器）等。 总结 MMSZ4V7T3G 齐纳二极管的主要应用场景包括电压稳压、过压保护、信号电平转换、温度补偿、浪涌吸收和基准电压源等。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域，尤其适用于需要精确电压控制和保护的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 500MW SOD123 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMSZ4V7T3G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 4.7V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 欧姆 |
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